MOSFET en carbure de silicium (SiC)

Diotec Semiconductor présente une gamme de MOSFET en carbure de silicium (SiC) qui comprend des dispositifs avec diverses valeurs basses R_DS(ON) allant de 23 mΩ à 59 mΩ. Ils sont encapsulés soit en TO-247-3L standard (avec trois sorties), soit en TO-247-4L, offrant une quatrième source Kelvin, ce qui permet des vitesses de commutation plus rapides et des pertes de puissance plus faibles. Au sein de la gamme de produits, Diotec propose les modèles DIF120SIC053-AQ, DIW120SIC023-AQ et DIW120SIC059-AQ, où « -AQ » signifie qualification AEC-Q101 complète.

Dans le contexte de l’électronique de puissance où les industries cherchent à améliorer le rendement énergétique, le SiC apparaît comme une technologie prometteuse de nouvelle génération. Il promet des capacités supérieures qui surpassent les MOSFET de puissance conventionnels à base de silicium, notamment une tension de claquage plus élevée et des pertes d'énergie considérablement réduites. Pour répondre aux demandes du marché, Diotec propose une grande variété de MOSFET SiC qui couvrent un portefeuille complet d'applications dans les machines industrielles, les systèmes de conversion de puissance, les onduleurs photovoltaïques et la recharge de véhicules électriques automobiles.

La mise en œuvre de la technologie à large bande interdite permet à ces composants de fonctionner de manière stable dans les applications haute température. Avec une résistance à l'état passant comparativement plus faible, les MOSFET SiC génèrent de moindres pertes de commutation par cycle, et améliorent considérablement le rendement tout en maintenant une vitesse de commutation plus élevée dans un système de conversion de puissance. En conséquence, les MOSFET SiC apparaissent comme la principale solution pour diverses applications, impliquant notamment une commutation haute tension à des fréquences plus élevées, une limitation rencontrée avec les MOSFET à base de silicium. De plus, la qualification AEC-Q101 renforce la robustesse et la haute fiabilité des performances des MOSFET SIC, en particulier dans l'industrie automobile.