Canal N 650 V 150 A (Tc) 550W (Tc) Trou traversant TO-247
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DIW065SIC015

Numéro de produit DigiKey
4878-DIW065SIC015-ND
Fabricant
Diotec Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
DIW065SIC015
Description
SICFET N-CH 650V 150A TO-247-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
10 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 150 A (Tc) 550W (Tc) Trou traversant TO-247
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
DIW065SIC015 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diotec Semiconductor
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
150 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V
Rds On (max.) à Id, Vgs
15mohms à 75A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 15mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
236 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+15V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
7169 pF @ 400 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
550W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247
Boîtier
TO-247-3
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En stock: 142
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
150,81000 $50,81 $
3033,37067 $1 001,12 $
12032,78542 $3 934,25 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.