Matrices de FET, MOSFET

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Technologies
Configuration
Fonction FET
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Puissance - Max.
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
109 095
En stock
1 : 0,31000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05974 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
MOSFET (oxyde métallique)
2 canaux N (double)
-
60V
300mA
1,5ohms à 100mA, 10V
2,1V à 250µA
0,6nC à 4,5V
40pF à 10V
285mW
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT-363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
66 435
En stock
1 : 0,41000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08428 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
MOSFET (oxyde métallique)
2 canaux N (double)
Porte de niveau logique
60V
295mA
1,6ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
0,9nC à 4,5V
26pF à 20V
250mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
PG-SOT363-PO
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
89 975
En stock
1 : 0,45000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,09039 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
MOSFET (oxyde métallique)
2 canaux N (double)
Porte de niveau logique
60V
300mA
3ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
0,6nC à 10V
20pF à 25V
500mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
24 085
En stock
1 : 0,45000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08578 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
MOSFET (oxyde métallique)
2 canaux N (double)
-
60V
230mA
7,5ohms à 50mA, 5V
2V à 250µA
-
50pF à 25V
310mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
NC7SZ332P6X
2N7002DW
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
onsemi
41 269
En stock
1 : 0,48000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,12633 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
MOSFET (oxyde métallique)
2 canaux N (double)
Porte de niveau logique
60V
115mA
7,5ohms à 50mA, 5V
2V à 250µA
-
50pF à 25V
200mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88 (SC-70-6)
PG-SOT363-PO
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
61 939
En stock
1 : 0,51000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,11763 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
MOSFET (oxyde métallique)
2 canaux N (double)
Porte de niveau logique
20V
880mA
400mohms à 880mA, 2,5V
750mV à 1,6µA
0,26nC à 2,5V
78pF à 10V
500mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
PMBT2222AYS-QX
BSS138BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
319 732
En stock
1 : 0,55000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,10287 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
MOSFET (oxyde métallique)
2 canaux N (double)
Porte de niveau logique
60V
320mA
1,6ohms à 320m A, 10V
1,6V à 250µA
0,7nC à 4,5V
56pF à 10V
445mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
SOT 23-6
SIL2308-TP
MOSFET N/P-CH 20V 5A/4A SOT23-6L
MCC (Micro Commercial Components)
60 191
En stock
1 : 0,57000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,12392 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
MOSFET (oxyde métallique)
Canaux N et P
-
20V
5A, 4A
38mohms à 4,5A, 4,5V, 90mohms à 500mA, 4,5V
1V à 250µA
11nC à 4,5V, 12nC à 2,5V
800pF, 405pF à 8V, 10V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-6
SOT-23-6L
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
650 299
En stock
1 : 0,58000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,10727 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
MOSFET (oxyde métallique)
2 canaux N (double)
Porte de niveau logique, attaque 1,2V
50V
200mA
2,2ohms à 200mA, 4,5V
1V à 1mA
-
25pF à 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
SI1033X-T1-GE3
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
31 177
En stock
1 : 0,60000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,14119 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
MOSFET (oxyde métallique)
2 canaux N (double)
Porte de niveau logique
20V
610mA (Ta)
396mohms à 500mA, 4,5V
1V à 250µA
2nC à 8V
43pF à 10V
220mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
31 062
En stock
1 : 0,60000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,11187 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptions
MOSFET (oxyde métallique)
Canaux N et P
Porte de niveau logique, attaque 4,5V
30V
3,4 A, 2,8 A
60mohms à 3,1 A, 10V
2,3V à 250µA
13nC à 10V
400pF à 15V
840mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
TSOT-26
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
1 245
En stock
1 : 0,60000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,12871 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
MOSFET (oxyde métallique)
2 canaux N (double)
Porte de niveau logique, attaque 0,9V
50V
200mA
2,2ohms à 200mA, 4,5V
800mV à 1mA
-
26pF à 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
SOT-363
NTJD1155LT1G
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
onsemi
44 442
En stock
1 : 0,61000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,12871 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
MOSFET (oxyde métallique)
Canaux N et P
-
8V
1,3A
175mohms à 1,2A, 4,5V
1V à 250µA
-
-
400mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
2 028
En stock
1 : 0,61000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,10574 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
MOSFET (oxyde métallique)
Canaux N et P
Porte de niveau logique
30V
3,8 A, 2,5 A
55mohms à 3,4A, 10V
1,5V à 250µA
12,3nC à 10V
422pF à 15V
850mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
TSOT-26
SOT-363
NVTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
118 311
En stock
1 : 0,63000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,11592 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
MOSFET (oxyde métallique)
2 canaux N (double)
-
30V
250mA
1,5ohms à 10mA, 4V
1,5V à 100µA
1,3nC à 5V
33pF à 5V
272mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363
NTJD4152PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
onsemi
65 774
En stock
1 : 0,64000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,12718 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
MOSFET (oxyde métallique)
2 canaux P (double)
Porte de niveau logique
20V
880mA
260mohms à 880mA, 4,5V
1,2V à 250µA
2,2nC à 4,5V
155pF à 20V
272mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
DG447DV-T1-E3
SI3932DV-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6TSOP
Vishay Siliconix
28 946
En stock
1 : 0,66000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,29576 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
MOSFET (oxyde métallique)
2 canaux N (double)
Porte de niveau logique
30V
3,7A
58mohms à 3,4A, 10V
2,2V à 250µA
6nC à 10V
235pF à 15V
1,4W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
6-TSOP
SOT-563
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
onsemi
276 882
En stock
1 : 0,67000 $
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,10992 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
MOSFET (oxyde métallique)
2 canaux N (double)
-
20V
540mA
550mohms à 540mA, 4,5V
1V à 250µA
2,5nC à 4,5V
150pF à 16V
250mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT-363
NTJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
onsemi
57 028
En stock
1 : 0,67000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,14685 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
MOSFET (oxyde métallique)
2 canaux N (double)
Porte de niveau logique
20V
630mA
375mohms à 630mA, 4,5V
1,5V à 250µA
3nC à 4,5V
46pF à 20V
270mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SI1033X-T1-GE3
SI1016CX-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V SC89
Vishay Siliconix
8 610
En stock
1 : 0,67000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,15457 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
MOSFET (oxyde métallique)
Canaux N et P
Porte de niveau logique
20V
-
396mohms à 500mA, 4,5V
1V à 250µA
2nC à 4,5V
43pF à 10V
220mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
14 982
En stock
1 : 0,68000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,14565 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
MOSFET (oxyde métallique)
2 canaux N (double)
-
30V
5A
32mohms à 5,8A, 10V
1,5V à 250µA
-
1155pF à 15V
1,4W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
6-VDFN plot exposé
DFN2020-6L
6 PQFN
IRLHS6376TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Infineon Technologies
109 872
En stock
1 : 0,74000 $
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,24374 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
MOSFET (oxyde métallique)
2 canaux N (double)
Porte de niveau logique
30V
3,6A
63mohms à 3,4A, 4,5V
1,1V à 10µA
2,8nC à 4,5V
270pF à 25V
1,5W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
6-PowerVDFN
6-PQFN double (2x2)
SOT 363
BSS84DW-7-F
MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363
Diodes Incorporated
10 602
En stock
1 548 000
Usine
1 : 0,74000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,14401 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
MOSFET (oxyde métallique)
2 canaux P (double)
Porte de niveau logique
50V
130mA
10ohms à 100mA, 5V
2V à 1mA
-
45pF à 25V
300mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
SOT-563
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
onsemi
11 600
En stock
1 : 0,77000 $
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,16725 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
MOSFET (oxyde métallique)
Canaux N et P
Porte de niveau logique
20V
540mA, 430mA
550mohms à 540mA, 4,5V
1V à 250µA
2,5nC à 4,5V
150pF à 16V
250mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 563
DMG1029SV-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
380 868
En stock
2 934 000
Usine
1 : 0,79000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,15066 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
MOSFET (oxyde métallique)
Canaux N et P
Porte de niveau logique
60V
500mA, 360mA
1,7ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
0,3nC à 4,5V
30pF à 25V, 25pF à 25V
450mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-563, SOT-666
SOT-563
Affichage de
sur 6 013

Matrices de FET, MOSFET

Les transistors à effet de champ (FET) sont des dispositifs électroniques utilisant un champ électrique pour contrôler le flux de courant. L'application d'une tension à la borne de grille modifie la conductivité entre les bornes de drain et de source. Les FET sont également appelés transistors unipolaires puisque leur fonctionnement inclut un seul type de porteur. Autrement dit, les FET utilisent des électrons ou des trous comme porteurs de charge dans leur fonctionnement, mais pas les deux. Les transistors à effet de champ affichent généralement une très haute impédance d'entrée à basses fréquences.