Canal N 1200 V 65 A (Tc) 278W (Tc) Trou traversant TO-247
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DIW120SIC059-AQ

Numéro de produit DigiKey
4878-DIW120SIC059-AQ-ND
Fabricant
Diotec Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
DIW120SIC059-AQ
Description
SICFET N-CH 1200V 65A TO-247-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
9 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 65 A (Tc) 278W (Tc) Trou traversant TO-247
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
DIW120SIC059-AQ Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diotec Semiconductor
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
65 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V
Rds On (max.) à Id, Vgs
53mohms à 33A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 9,5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
121 nC @ 15 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2070 pF @ 1000 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
278W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247
Boîtier
TO-247-3
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
141,27000 $41,27 $
3030,95733 $928,72 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.