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Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique


Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : 1,42278 $
Fiche technique

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TO-263-3
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TO-263-3
TO-263-3

SIHB12N60E-GE3

Numéro de produit DigiKey
SIHB12N60E-GE3-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SIHB12N60E-GE3
Description
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
20 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 12 A (Tc) 147W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
380mohms à 6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
937 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
147W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Boîtier
Numéro de produit de base
Questions et réponses sur les produits

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Tous les prix sont en CAD
En vrac
Quantité Prix unitaire Prix total
14,19000 $4,19 $
102,70800 $27,08 $
1001,86440 $186,44 $
5001,50358 $751,79 $
1 0001,38761 $1 387,61 $
2 0001,29013 $2 580,26 $
5 0001,24827 $6 241,35 $
Conditionnement standard du fabricant