Canal N FET, MOSFET simples

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
171 729
En stock
1 : 0,20000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03774 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
200mA (Ta)
4,5V, 10V
3,9ohms à 100mA, 10V
2,1V à 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
45 258
En stock
1 : 0,22000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04058 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5ohms à 100mA, 10V
2,1V à 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
170 397
En stock
1 : 0,23000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04464 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
1,08W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
NX7002BKWX
MOSFET N-CH 60V 270MA SOT323
Nexperia USA Inc.
2 705
En stock
1 : 0,25000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04811 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
270mA (Ta)
5V, 10V
2,8ohms à 200mA, 10V
2,1V à 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
310mW (Ta), 1,67W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
55 718
En stock
1 : 0,26000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05034 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
220mA (Tj)
4,5V, 10V
3,5ohms à 220mA, 10V
1,5V à 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
350mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
52 694
En stock
1 : 0,26000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05088 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5ohms à 50mA, 5V
2,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
43 508
En stock
1 : 0,26000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05117 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
360mA (Ta)
2,5V, 10V
1,6ohms à 500mA, 10V
1,5V à 250µA
1 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
236mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
25 119
En stock
1 : 0,27000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05273 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2ohms à 500mA, 10V
2,5V à 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DTC114YEBTL
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
885 519
En stock
1 : 0,29000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05805 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2ohms à 100mA, 2,5V
1V à 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
279 089
En stock
1 : 0,29000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05559 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5ohms à 220mA, 10V
1,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
190 978
En stock
1 : 0,29000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05651 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6ohms à 500mA, 10V
2,3V à 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002A-7
MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Diodes Incorporated
47 809
En stock
1 : 0,29000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05569 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
180mA (Ta)
5V, 10V
6ohms à 115mA, 5V
2V à 250µA
-
±20V
23 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
NX3008NBKW,115
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323
Nexperia USA Inc.
57 276
En stock
1 : 0,30174 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06050 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
350mA (Ta)
1,8V, 4,5V
1,4ohms à 350m A, 4,5V
1,1V à 250µA
0.68 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 15 V
-
260mW (Ta), 830mW (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
249 120
En stock
1 : 0,30000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06023 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5ohms à 240mA, 10V
2,5V à 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN67D8LW-13
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
Diodes Incorporated
80 299
En stock
1 : 0,30000 $
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,04942 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
240mA (Ta)
5V, 10V
5ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
0.82 nC @ 10 V
±30V
22 pF @ 25 V
-
320mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
DTA124EUBHZGTL
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
117 425
En stock
1 : 0,32000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06375 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5V
2,2ohms à 200mA, 4,5V
800mV à 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
UMT3F
SC-85
SOT-23-3
DMN3731U-7
MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
Diodes Incorporated
33 339
En stock
1 : 0,32000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06159 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
900mA (Ta)
1,8V, 4,5V
460mohms à 200mA, 4,5V
950mV à 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
73 pF @ 25 V
-
400mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
906 148
En stock
1 : 0,33000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06674 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
115mA (Tc)
5V, 10V
7,5ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
226 513
En stock
1 : 0,33000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06424 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
170mA (Ta)
10V
6ohms à 170mA, 10V
2V à 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
144 106
En stock
1 : 0,33000 $
Bande coupée (CT)
8 000 : 0,05720 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
100mA (Ta)
2,5V, 4V
3,6ohms à 10mA, 4V
1,5V à 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
VESM
SOT-723
SOT-523
2N7002T-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
Diodes Incorporated
84 854
En stock
1 : 0,33000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06407 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5ohms à 50mA, 5V
2V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
150mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-523
SOT-523
SOT-323
DMN53D0LW-7
MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
Diodes Incorporated
48 198
En stock
1 : 0,33000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06685 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
360mA (Ta)
5V, 10V
2ohms à 270mA, 10V
1,5V à 100µA
1.2 nC @ 10 V
±20V
45.8 pF @ 25 V
-
320mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-323
2N7002PW,115
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
Nexperia USA Inc.
44 881
En stock
1 : 0,35000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06943 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptions
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
310mA (Ta)
10V
1,6ohms à 500mA, 10V
2,4V à 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
168 784
En stock
1 : 0,36000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07091 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5ohms à 220mA, 10V
1,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
DTD143ECHZGT116
RUC002N05T116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
139 388
En stock
1 : 0,36000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06774 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
1,2V, 4,5V
2,2ohms à 200mA, 4,5V
1V à 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
200mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SST3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Affichage de
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FET simple, MOSFET

Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

  • Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
  • Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

  1. Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
  2. Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
  3. Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.