Canal N FET, MOSFET simples

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Type de FET	Technologies	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Vgs (max.)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Fonction FET	Dissipation de puissance (max.)	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier fournisseur	Boîtier
2N7002BK,215 MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB Nexperia USA Inc.	478 419 En stock	1 : 0,15000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04471 $ Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	350mA (Ta)	10V	1,6ohms à 500mA, 10V	2,1V à 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	370mW (Ta)	150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138P,215 MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Nexperia USA Inc.	542 748 En stock	1 : 0,20000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,03550 $ Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	360mA (Ta)	10V	1,6ohms à 300mA, 10V	1,5V à 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	350mW (Ta), 1,14W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TA)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002NXAKR MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Nexperia USA Inc.	260 321 En stock	1 : 0,20000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,03879 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	190mA (Ta), 300mA (Tc)	5V, 10V	4,5ohms à 100mA, 10V	2,1V à 250µA	0.43 nC @ 4.5 V	±20V	20 pF @ 10 V	-	265mW (Ta), 1,33W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	239 924 En stock	1 : 0,20000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,03238 $ Bande et bobine	U-MOSVII-H	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	200mA (Ta)	4,5V, 10V	3,9ohms à 100mA, 10V	2,1V à 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002H6327XTSA2 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 Infineon Technologies	128 063 En stock	1 : 0,21000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05242 $ Bande et bobine	OptiMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	300mA (Ta)	4,5V, 10V	3ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	0.6 nC @ 10 V	±20V	20 pF @ 25 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T2N7002BK,LM MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3 Toshiba Semiconductor and Storage	1 722 En stock	1 : 0,21000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,02929 $ Bande et bobine	U-MOSVII-H	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	400mA (Ta)	4,5V, 10V	1,5ohms à 100mA, 10V	2,1V à 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002K-7 MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3 Diodes Incorporated	414 536 En stock 4 068 000 Usine	1 : 0,23000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04625 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	380mA (Ta)	5V, 10V	2ohms à 500mA, 10V	2,5V à 1mA	0.3 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002P,215 MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Nexperia USA Inc.	574 968 En stock	1 : 0,24000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04471 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	360mA (Ta)	10V	1,6ohms à 500mA, 10V	2,4V à 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Diodes Incorporated	292 027 En stock	1 : 0,24000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04471 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	200mA (Ta)	10V	3,5ohms à 220mA, 10V	1,5V à 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Diodes Incorporated	1 060 132 En stock	1 : 0,26000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,03854 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5ohms à 50mA, 5V	2,5V à 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002ET1G MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 onsemi	156 672 En stock	1 : 0,27000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04780 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	260mA (Ta)	4,5V, 10V	2,5ohms à 240mA, 10V	2,5V à 250µA	0.81 nC @ 5 V	±20V	26.7 pF @ 25 V	-	300mW (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002W-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323 Diodes Incorporated	91 951 En stock	1 : 0,27000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05705 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5ohms à 50mA, 5V	2V à 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	200mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-323	SC-70, SOT-323
BSS138-TP MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 MCC (Micro Commercial Components)	44 678 En stock	1 : 0,27000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05242 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	220mA (Tj)	4,5V, 10V	3,5ohms à 220mA, 10V	1,5V à 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	350mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123-7-F MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Diodes Incorporated	196 441 En stock	1 : 0,29000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05396 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	170mA (Ta)	10V	6ohms à 170mA, 10V	2V à 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RE1C002UNTCL MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F Rohm Semiconductor	518 574 En stock	1 : 0,30000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,03700 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	200mA (Ta)	1,2V, 2,5V	1,2ohms à 100mA, 2,5V	1V à 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	EMT3F (SOT-416FL)	SC-89, SOT-490
BSS138W-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323 Diodes Incorporated	288 750 En stock	1 : 0,30000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06013 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	200mA (Ta)	10V	3,5ohms à 220mA, 10V	1,5V à 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	200mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-323	SC-70, SOT-323
DMN63D8L-7 MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23 Diodes Incorporated	213 591 En stock 66 000 Usine	1 : 0,30000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04256 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	350mA (Ta)	2,5V, 10V	2,8ohms à 250mA, 10V	1,5V à 250µA	0.9 nC @ 10 V	±20V	23.2 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K72KCT,L3F MOSFET N-CH 60V 400MA CST3 Toshiba Semiconductor and Storage	133 340 En stock	1 : 0,30000 $ Bande coupée (CT) 10 000 : 0,04163 $ Bande et bobine	U-MOSVII-H	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	400mA (Ta)	4,5V, 10V	1,5ohms à 100mA, 10V	2,1V à 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	CST3	SC-101, SOT-883
DMN53D0LW-7 MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323 Diodes Incorporated	33 227 En stock	1 : 0,30000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05550 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	360mA (Ta)	5V, 10V	2ohms à 270mA, 10V	1,5V à 100µA	1.2 nC @ 10 V	±20V	45.8 pF @ 25 V	-	320mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-323	SC-70, SOT-323
DMG1012T-7 MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 Diodes Incorporated	469 204 En stock	1 : 0,32000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,31199 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	630mA (Ta)	1,8V, 4,5V	400mohms à 600mA, 4,5V	1V à 250µA	0.74 nC @ 4.5 V	±6V	60.67 pF @ 16 V	-	280mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-523	SOT-523
2N7002,215 MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Nexperia USA Inc.	305 450 En stock	1 : 0,32000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04023 $ Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	300mA (Tc)	10V	5ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	-	±30V	50 pF @ 10 V	-	830mW (Ta)	-65°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN6140L-13 MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 Diodes Incorporated	170 992 En stock 1 530 000 Usine	1 : 0,32000 $ Bande coupée (CT) 10 000 : 0,08017 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	1,6 A (Ta)	4,5V, 10V	140mohms à 1,8A, 10V	3V à 250µA	8.6 nC @ 10 V	±20V	315 pF @ 40 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002LT1G MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 onsemi	0 En stock Vérifier le délai d'approvisionnement	1 : 0,32000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04780 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	115mA (Tc)	5V, 10V	7,5ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138PW,115 MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323 Nexperia USA Inc.	695 816 En stock	1 : 0,33000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05859 $ Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	320mA (Ta)	10V	1,6ohms à 300mA, 10V	1,5V à 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	260mW (Ta), 830mW (Tc)	-55°C ~ 150°C (TA)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-323	SC-70, SOT-323
RU1J002YNTCL MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F Rohm Semiconductor	196 245 En stock	1 : 0,33000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05396 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	200mA (Ta)	0,9V, 4,5V	2,2ohms à 200mA, 4,5V	800mV à 1mA	-	±8V	26 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	UMT3F	SC-85

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Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.

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