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Canal N 600 V 12 A (Tc) 147W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
Canal N 600 V 12 A (Tc) 147W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB12N60ET5-GE3

Numéro de produit DigiKey
SIHB12N60ET5-GE3-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SIHB12N60ET5-GE3
Description
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
17 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 12 A (Tc) 147W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
58 nC @ 10 V
Série
Vgs (max.)
±30V
Conditionnement
En vrac
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
937 pF @ 100 V
Statut du composant
Actif
Dissipation de puissance (max.)
147W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Montage en surface
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Boîtier fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
380mohms à 6A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (4)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
AOB11S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1246-2-ND0,00000 $Similaire
FCB11N60TMonsemi1 788FCB11N60TMCT-ND7,53000 $Similaire
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Disponible sur commande
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En vrac
Quantité Prix unitaire Prix total
8001,58905 $1 271,24 $
Conditionnement standard du fabricant