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SIHB12N60ET5-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHB12N60ET5-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHB12N60ET5-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 17 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 12 A (Tc) 147W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 58 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement En vrac | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 937 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 147W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 380mohms à 6A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| AOB11S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | 785-1246-2-ND | 0,00000 $ | Similaire |
| FCB11N60TM | onsemi | 1 788 | FCB11N60TMCT-ND | 7,53000 $ | Similaire |
| IPB60R299CPAATMA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPB60R299CPAATMA1CT-ND | 6,38000 $ | Similaire |
| IPB65R310CFDAATMA1 | Infineon Technologies | 2 348 | 448-IPB65R310CFDAATMA1CT-ND | 5,30000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 800 | 1,58905 $ | 1 271,24 $ |





