Vishay Siliconix FET, MOSFET simples

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Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
SI2333DS-T1-GE3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
423 700
En stock
1 : 0,34000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,11030 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
2ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
TP0610K-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Vishay Siliconix
630 446
En stock
1 : 0,51000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,21155 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
185mA (Ta)
4,5V, 10V
6ohms à 500mA, 10V
3V à 250µA
1.7 nC @ 15 V
±20V
23 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
SI2347DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3
Vishay Siliconix
61 507
En stock
1 : 0,53000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,11272 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
5 A (Tc)
4,5V, 10V
42mohms à 3,8A, 10V
2,5V à 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
705 pF @ 15 V
-
1,7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
2N7002K-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Vishay Siliconix
339 084
En stock
1 : 0,56000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,11030 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
2ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
SI2302CDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
109 412
En stock
1 : 0,56000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,21601 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
2,6 A (Ta)
2,5V, 4,5V
57mohms à 3,6A, 4,5V
850mV à 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
710mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
SI2308CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
103 227
En stock
1 : 0,56000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,14551 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
2,6 A (Tc)
4,5V, 10V
144mohms à 1,9A, 10V
3V à 250µA
4 nC @ 10 V
±20V
105 pF @ 30 V
-
1,6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI1424EDH-T1-GE3
SQ1464EEH-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Vishay Siliconix
15 983
En stock
1 : 0,56000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,19201 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
440mA (Tc)
1,5V
1,41ohms à 2A, 1,5V
1V à 250µA
4.1 nC @ 4.5 V
±8V
140 pF @ 25 V
-
430mW (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SC-70-6
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SIA477EDJ-T1-GE3
SQA442EJ-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 9A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
16 512
En stock
1 : 0,62000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,27301 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
9 A (Tc)
4,5V, 10V
32mohms à 3A, 10V
2,5V à 250µA
9.7 nC @ 10 V
±20V
636 pF @ 25 V
-
13,6W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
DG447DV-T1-E3
SI3443DDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOP
Vishay Siliconix
46 453
En stock
1 : 0,65000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,13913 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
4A (Ta), 5,3A (Tc)
2,5V, 4,5V
47mohms à 4,5A, 4,5V
1,5V à 250µA
30 nC @ 8 V
±12V
970 pF @ 10 V
-
1,7W (Ta), 2,7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
6-TSOP
SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
SI1424EDH-T1-GE3
SQ1440EH-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 1.7A SC70-6
Vishay Siliconix
24 214
En stock
1 : 0,65000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,27001 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
1,7 A (Tc)
4,5V, 10V
120mohms à 3,8A, 10V
2,5V à 250µA
5.5 nC @ 10 V
±20V
344 pF @ 15 V
-
3,3W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SC-70-6
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SI1302DL-T1-GE3
SI1308EDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Vishay Siliconix
35 975
En stock
1 : 0,66000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,15601 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
1,4 A (Tc)
2,5V, 10V
132mohms à 1,4A, 10V
1,5V à 250µA
4.1 nC @ 10 V
±12V
105 pF @ 15 V
-
400mW (Ta), 500mW (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-70-3
SC-70, SOT-323
SI1031X-T1-GE3
SI1022R-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Vishay Siliconix
15 737
En stock
1 : 0,69000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,27751 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
330mA (Ta)
4,5V, 10V
1,25ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
250mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-75A
SC-75, SOT-416
SI2333DS-T1-GE3
SI2318CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
28 808
En stock
1 : 0,71000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,15901 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
5,6 A (Tc)
4,5V, 10V
42mohms à 4,3A, 10V
2,5V à 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 20 V
-
1,25W (Ta), 2,1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SIA477EDJ-T1-GE3
SIA471DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAK
Vishay Siliconix
22 242
En stock
1 : 0,74000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,31501 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
12,9A (Ta), 30,3A (Tc)
4,5V, 10V
14mohms à 10A, 10V
2,5V à 250µA
27.8 nC @ 10 V
+16V, -20V
1170 pF @ 15 V
-
3,5W (Ta), 19,2W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
SI9407BDY-T1-GE3
SI4435FDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Vishay Siliconix
1 230
En stock
1 : 0,74000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,19611 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
12,6 A (Tc)
4,5V, 10V
19mohms à 9A, 10V
2,2V à 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 15 V
-
4,8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
SI2333DS-T1-GE3
SI2302CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
25 620
En stock
1 : 0,75000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,21301 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
2,6 A (Ta)
2,5V, 4,5V
57mohms à 3,6A, 4,5V
850mV à 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
710mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
SI2369DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Vishay Siliconix
40 213
En stock
1 : 0,76000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,22496 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
7,6 A (Tc)
4,5V, 10V
29mohms à 5,4A, 10V
2,5V à 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
1295 pF @ 15 V
-
1,25W (Ta), 2,5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
25 581
En stock
1 : 0,78000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,20383 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
3,1 A (Tc)
2,5V, 4,5V
112mohms à 2,8A, 4,5V
1V à 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW (Ta), 1,6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
SQ2337ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
256 487
En stock
1 : 0,79000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,32870 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
80 V
2,2 A (Tc)
6V, 10V
290mohms à 1,2A, 10V
2,5V à 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 40 V
-
3W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SIS176LDN-T1-GE3
SISA14DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
11 016
En stock
1 : 0,79000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,33901 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
20 A (Tc)
4,5V, 10V
5,1mohms à 10A, 10V
2,2V à 250µA
29 nC @ 10 V
+20V, -16V
1450 pF @ 15 V
-
3,57W (Ta), 26,5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SI2333DS-T1-GE3
SI2312CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
76 749
En stock
1 : 0,84000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,19351 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
6 A (Tc)
1,8V, 4,5V
31,8mohms à 5A, 4,5V
1V à 250µA
18 nC @ 5 V
±8V
865 pF @ 10 V
-
1,25W (Ta), 2,1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SIB433EDK-T1-GE3
SIB456DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 6.3A PPAK SC75
Vishay Siliconix
14 073
En stock
1 : 0,84000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,25051 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
6,3 A (Tc)
4,5V, 10V
185mohms à 1,9A, 10V
3V à 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
130 pF @ 50 V
-
2,4W (Ta), 13W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® SC-75-6
PowerPAK® SC-75-6
DG447DV-T1-E3
SI3127DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP
Vishay Siliconix
1 071
En stock
1 : 0,84000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,21927 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
3,5 A (Ta), 13 A (Tc)
4,5V, 10V
89mohms à 1,5A, 4,5V
3V à 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
833 pF @ 20 V
-
2W (Ta), 4,2W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
6-TSOP
SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
SI2333DS-T1-GE3
SI2301CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
86 861
En stock
1 : 0,85000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,19302 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
3,1 A (Tc)
2,5V, 4,5V
112mohms à 2,8A, 4,5V
1V à 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW (Ta), 1,6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SIA477EDJ-T1-GE3
SIA483DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
50 603
En stock
1 : 0,85000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,23935 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
12 A (Tc)
4,5V, 10V
21mohms à 5A, 10V
2,2V à 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
1550 pF @ 15 V
-
3,5W (Ta), 19W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
Affichage de
sur 4 704

Vishay Siliconix FET, MOSFET simples

Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.