TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB FET, MOSFET simples

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS3806TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
Infineon Technologies
4 602
En stock
1 : 1,67000 $
Bande coupée (CT)
800 : 0,78751 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
43 A (Tc)
10V
15,8mohms à 25A, 10V
4V à 50µA
30 nC @ 10 V
±20V
1150 pF @ 50 V
-
71W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263
FDB13AN06A0
MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
onsemi
7 894
En stock
1 : 2,00000 $
Bande coupée (CT)
800 : 1,48499 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
10,9 A (Ta), 62 A (Tc)
6V, 10V
13,5mohms à 62A, 10V
4V à 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
1350 pF @ 25 V
-
115W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS3607TRLPBF
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Infineon Technologies
5 700
En stock
1 : 2,12000 $
Bande coupée (CT)
800 : 0,84679 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
75 V
80 A (Tc)
10V
9mohms à 46A, 10V
4V à 100µA
84 nC @ 10 V
±20V
3070 pF @ 50 V
-
140W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF640NSTRLPBF
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Infineon Technologies
17 327
En stock
1 : 2,46000 $
Bande coupée (CT)
800 : 0,84223 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
200 V
18 A (Tc)
10V
150mohms à 11A, 10V
4V à 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1160 pF @ 25 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3
IRF9Z34STRLPBF
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Vishay Siliconix
1 762
En stock
1 : 2,56000 $
Bande coupée (CT)
800 : 1,87985 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
18 A (Tc)
10V
140mohms à 11A, 10V
4V à 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 25 V
-
3,7W (Ta), 88W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRL530NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Infineon Technologies
24 293
En stock
1 : 2,59000 $
Bande coupée (CT)
800 : 0,83008 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
17 A (Tc)
4V, 10V
100mohms à 9A, 10V
2V à 250µA
34 nC @ 5 V
±20V
800 pF @ 25 V
-
3,8W (Ta), 79W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF540NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Infineon Technologies
1 772
En stock
1 : 2,76000 $
Bande coupée (CT)
800 : 0,85289 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
33 A (Tc)
10V
44mohms à 16A, 10V
4V à 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 25 V
-
130W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFZ44NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Infineon Technologies
8 923
En stock
1 : 2,83000 $
Bande coupée (CT)
800 : 0,90456 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
55 V
49 A (Tc)
10V
17,5mohms à 25A, 10V
4V à 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 25 V
-
3,8W (Ta), 94W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRL1404ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Infineon Technologies
7 938
En stock
1 : 2,85000 $
Bande coupée (CT)
800 : 1,22535 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
75 A (Tc)
4,5V, 10V
3,1mohms à 75A, 10V
2,7V à 250µA
110 nC @ 5 V
±16V
5080 pF @ 25 V
-
230W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3
IRF540STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Vishay Siliconix
13 092
En stock
1 : 3,04000 $
Bande coupée (CT)
800 : 1,80913 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
28 A (Tc)
10V
77mohms à 17A, 10V
4V à 250µA
72 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 25 V
-
3,7W (Ta), 150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
PG-TO263-3
IPB042N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Infineon Technologies
25 297
En stock
1 : 3,10000 $
Bande coupée (CT)
1 000 : 1,28508 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
100 A (Tc)
6V, 10V
4,2mohms à 50A, 10V
3,5V à 150µA
117 nC @ 10 V
±20V
8410 pF @ 50 V
-
214W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TO263-3
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF5305STRLPBF
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Infineon Technologies
9 064
En stock
1 : 3,17000 $
Bande coupée (CT)
800 : 1,02194 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
55 V
31 A (Tc)
10V
60mohms à 16A, 10V
4V à 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
3,8W (Ta), 110W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263
FDB52N20TM
MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
onsemi
11 683
En stock
1 : 3,23000 $
Bande coupée (CT)
800 : 1,59629 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
200 V
52 A (Tc)
10V
49mohms à 26A, 10V
5V à 250µA
63 nC @ 10 V
±30V
2900 pF @ 25 V
-
357W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4620TRLPBF
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Infineon Technologies
171
En stock
1 : 3,25000 $
Bande coupée (CT)
800 : 1,05158 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
200 V
24 A (Tc)
10V
77,5mohms à 15A, 10V
5V à 100µA
38 nC @ 10 V
±20V
1710 pF @ 50 V
-
144W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF9540NSTRLPBF
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Infineon Technologies
7 264
En stock
1 : 3,47000 $
Bande coupée (CT)
800 : 1,05011 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
23 A (Tc)
10V
117mohms à 14A, 10V
4V à 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
1450 pF @ 25 V
-
3,1W (Ta), 110W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF3710STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Infineon Technologies
7 236
En stock
1 : 3,58000 $
Bande coupée (CT)
800 : 1,20709 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
57 A (Tc)
10V
23mohms à 28A, 10V
4V à 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
3130 pF @ 25 V
-
200W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263
FDB33N25TM
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
onsemi
18 465
En stock
1 : 3,70000 $
Bande coupée (CT)
800 : 1,56290 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
250 V
33 A (Tc)
10V
94mohms à 16,5A, 10V
5V à 250µA
48 nC @ 10 V
±30V
2135 pF @ 25 V
-
235W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF3710ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Infineon Technologies
7 783
En stock
1 : 3,76000 $
Bande coupée (CT)
800 : 1,19949 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptions
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
59 A (Tc)
10V
18mohms à 35A, 10V
4V à 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 25 V
-
160W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
BUK7626-100B,118
PSMN015-60BS,118
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Nexperia USA Inc.
11 732
En stock
1 : 3,80000 $
Bande coupée (CT)
800 : 1,22815 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
50 A (Tc)
10V
14,8mohms à 15A, 10V
4V à 1mA
20.9 nC @ 10 V
±20V
1220 pF @ 30 V
-
86W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
PG-TO263-3-2
IPB17N25S3100ATMA1
MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
Infineon Technologies
61 498
En stock
1 : 3,81000 $
Bande coupée (CT)
1 000 : 1,49746 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
250 V
17 A (Tc)
10V
100mohms à 17A, 10V
4V à 54µA
19 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 25 V
-
107W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-TO263-3-2
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SUM80090E-GE3
MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
Vishay Siliconix
5 552
En stock
1 : 3,87000 $
Bande coupée (CT)
800 : 2,09798 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
150 V
128 A (Tc)
7,5V, 10V
9mohms à 30A, 10V
5V à 250µA
95 nC @ 10 V
±20V
3425 pF @ 75 V
-
375W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF2807STRLPBF
MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Infineon Technologies
2 010
En stock
1 : 3,91000 $
Bande coupée (CT)
800 : 1,23903 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
75 V
82 A (Tc)
10V
13mohms à 43A, 10V
4V à 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
3820 pF @ 25 V
-
230W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
SQM120P04-04L_GE3
SQM40031EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Vishay Siliconix
1 836
En stock
1 : 4,32000 $
Bande coupée (CT)
800 : 2,03163 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
120 A (Tc)
4,5V, 10V
3mohms à 30A, 10V
2,5V à 250µA
800 nC @ 10 V
±20V
39000 pF @ 25 V
-
375W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS3306TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Infineon Technologies
5 411
En stock
1 : 4,38000 $
Bande coupée (CT)
800 : 1,71791 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
120 A (Tc)
10V
4,2mohms à 75A, 10V
4V à 150µA
120 nC @ 10 V
±20V
4520 pF @ 50 V
-
230W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4227TRLPBF
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Infineon Technologies
4 776
En stock
1 : 4,43000 $
Bande coupée (CT)
800 : 1,53548 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
200 V
62 A (Tc)
10V
26mohms à 46A, 10V
5V à 250µA
98 nC @ 10 V
±30V
4600 pF @ 25 V
-
330W (Tc)
-40°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Affichage de
sur 3 864

FET simple, MOSFET

Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

  • Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
  • Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

  1. Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
  2. Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
  3. Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.