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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHP21N65EF-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHP21N65EF-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHP21N65EF-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 28 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 21 A (Tc) 208W (Tc) Trou traversant TO-220AB |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 106 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2322 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 208W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-220AB |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 180mohms à 11A, 10V | Numéro de produit de base |
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| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | 8,59000 $ | Similaire |
| FCP190N65S3R0 | onsemi | 266 | 488-FCP190N65S3R0-ND | 4,30000 $ | Similaire |
| IPP60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | 2 000 | IPP60R170CFD7XKSA1-ND | 5,37000 $ | Similaire |
| IPP65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP65R190E6XKSA1-ND | 2,63582 $ | Similaire |
| IXFP24N60X | IXYS | 0 | IXFP24N60X-ND | 4,75807 $ | Similaire |
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Tous les prix sont en CAD
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| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 9,10000 $ | 9,10 $ |
| 10 | 6,07100 $ | 60,71 $ |
| 100 | 4,35260 $ | 435,26 $ |
| 500 | 3,61970 $ | 1 809,85 $ |
| 1 000 | 3,38449 $ | 3 384,49 $ |
| 2 000 | 3,22261 $ | 6 445,22 $ |
