21 A (Tc) FET, MOSFET simples

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Type de FET	Technologies	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Vgs (max.)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Fonction FET	Dissipation de puissance (max.)	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier fournisseur	Boîtier
BSC520N15NS3GATMA1 MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8-5 Infineon Technologies	14 802 En stock	1 : 2,79000 $ Bande coupée (CT) 5 000 : 0,70920 $ Bande et bobine	OptiMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	150 V	21 A (Tc)	8V, 10V	52mohms à 18A, 10V	4V à 35µA	12 nC @ 10 V	±20V	890 pF @ 75 V	-	57W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	PG-TDSON-8-5	8-PowerTDFN
BSZ520N15NS3GATMA1 MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON Infineon Technologies	4 714 En stock	1 : 3,40000 $ Bande coupée (CT) 5 000 : 0,90159 $ Bande et bobine	OptiMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	150 V	21 A (Tc)	8V, 10V	52mohms à 18A, 10V	4V à 35µA	12 nC @ 10 V	±20V	890 pF @ 75 V	-	57W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	PG-TSDSON-8	8-PowerTDFN
SI7454DDP-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	29 572 En stock	1 : 3,47000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,97067 $ Bande et bobine	TrenchFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	21 A (Tc)	4,5V, 10V	33mohms à 10A, 10V	3V à 250µA	19.5 nC @ 10 V	±20V	550 pF @ 50 V	-	4,1W (Ta), 29,7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
IPB60R165CPATMA1 MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3 Infineon Technologies	5 926 En stock	1 : 7,73000 $ Bande coupée (CT) 1 000 : 2,79652 $ Bande et bobine	CoolMOS™ CP	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Date de dernière disponibilité	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	600 V	21 A (Tc)	10V	165mohms à 12A, 10V	3,5V à 790µA	52 nC @ 10 V	±20V	2000 pF @ 100 V	-	192W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	PG-TO263-3-2	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
G3R160MT17D SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3 Navitas Semiconductor, Inc.	529 En stock	1 : 27,27000 $ Tube	G3R™	Tube	Actif	Canal N	SiCFET (carbure de silicium)	1700 V	21 A (Tc)	15V	208mohms à 12A, 15V	2,7V à 5mA	51 nC @ 15 V	±15V	1272 pF @ 1000 V	-	175W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-247-3	TO-247-3
SIR836DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	7 377 En stock	1 : 2,00000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,50690 $ Bande et bobine	TrenchFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	40 V	21 A (Tc)	4,5V, 10V	19mohms à 10A, 10V	2,5V à 250µA	18 nC @ 10 V	±20V	600 pF @ 20 V	-	3,9W (Ta), 15,6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
IPD530N15N3GATMA1 MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3 Infineon Technologies	3 396 En stock	1 : 3,19000 $ Bande coupée (CT) 2 500 : 0,89636 $ Bande et bobine	OptiMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	150 V	21 A (Tc)	8V, 10V	53mohms à 18A, 10V	4V à 35µA	12 nC @ 10 V	±20V	887 pF @ 75 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montage en surface	PG-TO252-3	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
FQB19N20LTM MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK onsemi	642 En stock	1 : 4,13000 $ Bande coupée (CT) 800 : 1,28596 $ Bande et bobine	QFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	200 V	21 A (Tc)	5V, 10V	140mohms à 10,5A, 10V	2V à 250µA	35 nC @ 5 V	±20V	2200 pF @ 25 V	-	3,13W (Ta), 140W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
SIHP24N80AE-GE3 MOSFET N-CH 800V 21A TO220AB Vishay Siliconix	1 861 En stock	1 : 7,12000 $ Tube	E	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	800 V	21 A (Tc)	10V	184mohms à 10A, 10V	4V à 250µA	89 nC @ 10 V	±30V	1836 pF @ 100 V	-	208W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-220AB	TO-220-3
IPB60R105CFD7ATMA1 MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3 Infineon Technologies	1 180 En stock	1 : 8,04000 $ Bande coupée (CT) 1 000 : 2,93137 $ Bande et bobine	CoolMOS™ CFD7	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	600 V	21 A (Tc)	10V	105mohms à 9,3A, 10V	4,5V à 470µA	42 nC @ 10 V	±20V	1752 pF @ 400 V	-	106W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	PG-TO263-3-2	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
SIHF22N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 21A TO220 Vishay Siliconix	5 136 En stock	1 : 8,18000 $ Tube	E	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	600 V	21 A (Tc)	10V	180mohms à 11A, 10V	4V à 250µA	86 nC @ 10 V	±30V	1920 pF @ 100 V	-	35W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	Boîtier complet TO-220	Boîtier complet TO-220-3
IRFP9140PBF MOSFET P-CH 100V 21A TO247-3 Vishay Siliconix	273 En stock	1 : 8,39000 $ Tube	-	Tube	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	21 A (Tc)	10V	200mohms à 13A, 10V	4V à 250µA	61 nC @ 10 V	±20V	1400 pF @ 25 V	-	180W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-247AC	TO-247-3
IPL65R099C7AUMA1 MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON Infineon Technologies	8 206 En stock	1 : 10,03000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 3,66962 $ Bande et bobine	CoolMOS™ C7	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	650 V	21 A (Tc)	10V	99mohms à 5,9A, 10V	4V à 590µA	45 nC @ 10 V	±20V	2140 pF @ 400 V	-	128W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	PG-VSON-4	4-PowerTSFN
SCT3120ALGC11 SICFET N-CH 650V 21A TO247N Rohm Semiconductor	282 En stock	1 : 16,40000 $ Tube	-	Tube	Actif	Canal N	SiCFET (carbure de silicium)	650 V	21 A (Tc)	18V	156mohms à 6,7A, 18V	5,6V à 3,33mA	38 nC @ 18 V	+22V, -4V	460 pF @ 500 V	-	103W (Tc)	175°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-247N	TO-247-3
DMP3028LPSQ-13 MOSFET P-CH 30V 21A PWRDI5060-8 Diodes Incorporated	4 535 En stock 55 000 Usine	1 : 2,22000 $ Bande coupée (CT) 2 500 : 0,58477 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	21 A (Tc)	4,5V, 10V	28mohms à 7A, 10V	2,4V à 250µA	22 nC @ 10 V	±20V	1372 pF @ 15 V	-	1,28W	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	PowerDI5060-8	8-PowerTDFN
FDMC0310AS-F127 MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP onsemi	4 080 En stock 27 000 Usine	1 : 2,27000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,55475 $ Bande et bobine	PowerTrench®, SyncFET™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	21 A (Tc)	-	4,4mohms à 19 A, 10V	3V à 1mA	52 nC @ 10 V	-	3165 pF @ 15 V	-	-	-	-	-	Montage en surface	8-MLP (3,3x3,3)	8-PowerWDFN
STB28N60DM2 MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK STMicroelectronics	357 En stock	1 : 7,02000 $ Bande coupée (CT) 1 000 : 2,45493 $ Bande et bobine	MDmesh™ DM2	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	600 V	21 A (Tc)	10V	160mohms à 10,5A, 10V	5V à 250µA	34 nC @ 10 V	±25V	1500 pF @ 100 V	-	170W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
SIHB24N80AE-GE3 MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK Vishay Siliconix	656 En stock	1 : 7,12000 $ Tube	-	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	800 V	21 A (Tc)	-	184mohms à 10A, 10V	4V à 250µA	89 nC @ 10 V	±30V	1836 pF @ 100 V	-	208W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
SPB21N50C3ATMA1 MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3 Infineon Technologies	2 434 En stock	1 : 7,33000 $ Bande coupée (CT) 1 000 : 2,62468 $ Bande et bobine	CoolMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	560 V	21 A (Tc)	10V	190mohms à 13,1A, 10V	3,9V à 1mA	95 nC @ 10 V	±20V	2400 pF @ 25 V	-	208W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	PG-TO263-3-2	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
STP28N60DM2 MOSFET N-CH 600V 21A TO220 STMicroelectronics	952 En stock	1 : 7,39000 $ Tube	MDmesh™ DM2	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	600 V	21 A (Tc)	10V	160mohms à 10,5A, 10V	5V à 250µA	34 nC @ 10 V	±25V	1500 pF @ 100 V	-	170W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-220	TO-220-3
IPP60R165CPXKSA1 MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3 Infineon Technologies	257 En stock	1 : 7,73000 $ Tube	CoolMOS™	Tube	Pas pour les nouvelles conceptions	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	600 V	21 A (Tc)	10V	165mohms à 12A, 10V	3,5V à 790µA	52 nC @ 10 V	±20V	2000 pF @ 100 V	-	192W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	PG-TO220-3	TO-220-3
STW28N60DM2 MOSFET N-CH 600V 21A TO247 STMicroelectronics	551 En stock	1 : 7,84000 $ Tube	MDmesh™ DM2	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	600 V	21 A (Tc)	10V	160mohms à 10,5A, 10V	5V à 250µA	34 nC @ 10 V	±25V	1500 pF @ 100 V	-	170W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-247-3	TO-247-3
IPB65R115CFD7AATMA1 AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3 Infineon Technologies	1 009 En stock	1 : 8,64000 $ Bande coupée (CT) 1 000 : 3,18342 $ Bande et bobine	CoolMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	650 V	21 A (Tc)	10V	115mohms à 9,7A, 10V	4,5V à 490µA	41 nC @ 10 V	±20V	1950 pF @ 400 V	-	114W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	PG-TO263-3	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
SIHG21N60EF-GE3 MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC Vishay Siliconix	439 En stock	1 : 8,84000 $ Tube	-	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	600 V	21 A (Tc)	10V	176mohms à 11A, 10V	4V à 250µA	84 nC @ 10 V	±30V	2030 pF @ 100 V	-	227W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-247AC	TO-247-3
IPW60R165CPFKSA1 MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3 Infineon Technologies	270 En stock	1 : 8,93000 $ Tube	CoolMOS™	Tube	Pas pour les nouvelles conceptions	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	600 V	21 A (Tc)	10V	165mohms à 12A, 10V	3,5V à 790µA	52 nC @ 10 V	±20V	2000 pF @ 100 V	-	192W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	PG-TO247-3-1	TO-247-3

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FET simple, MOSFET

Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

MOSFET à canal N: où les électrons sont les principaux porteurs.
MOSFET à canal P: où les trous sont porteurs primaires.

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.

FET simple, MOSFET

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