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IPP65R190E6XKSA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IPP65R190E6XKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPP65R190E6XKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPP65R190E6XKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPP65R190E6XKSA1 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 730µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 73 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1620 pF @ 100 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 151W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 190mohms à 7,3 A, 10V |
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Substituts (9)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP65R190C7FKSA1 | Infineon Technologies | 1 | 448-IPP65R190C7FKSA1-ND | 5,61000 $ | Recommandation fabricant |
| FCP150N65F | onsemi | 776 | FCP150N65FOS-ND | 9,87000 $ | Similaire |
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | 8,59000 $ | Similaire |
| SIHP22N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP22N65E-GE3-ND | 3,19566 $ | Similaire |
| SIHP24N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP24N65EF-GE3-ND | 4,04270 $ | Similaire |
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