TO-220-3 FET, MOSFET simples

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Type de FET	Technologies	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Vgs (max.)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Fonction FET	Dissipation de puissance (max.)	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier fournisseur	Boîtier
IRF9Z34NPBF MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB Infineon Technologies	41 766 En stock	1 : 2,22000 $ Tube	HEXFET®	Tube	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	55 V	19 A (Tc)	10V	100mohms à 10A, 10V	4V à 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	620 pF @ 25 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-220AB	TO-220-3
IRF530NPBF MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB Infineon Technologies	11 377 En stock	1 : 2,36000 $ Tube	HEXFET®	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	17 A (Tc)	10V	90mohms à 9A, 10V	4V à 250µA	37 nC @ 10 V	±20V	920 pF @ 25 V	-	70W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-220AB	TO-220-3
IRFZ44NPBF MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB Infineon Technologies	20 938 En stock	1 : 2,39000 $ Tube	HEXFET®	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	55 V	49 A (Tc)	10V	17,5mohms à 25A, 10V	4V à 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1470 pF @ 25 V	-	94W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-220AB	TO-220-3
IRF9530NPBF MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB Infineon Technologies	20 887 En stock	1 : 2,42000 $ Tube	HEXFET®	Tube	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	14 A (Tc)	10V	200mohms à 8,4A, 10V	4V à 250µA	58 nC @ 10 V	±20V	760 pF @ 25 V	-	79W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-220AB	TO-220-3
IRFZ46NPBF MOSFET N-CH 55V 53A TO220AB Infineon Technologies	1 578 En stock	1 : 2,43000 $ Tube	HEXFET®	Tube	Pas pour les nouvelles conceptions	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	55 V	53 A (Tc)	10V	16,5mohms à 28A, 10V	4V à 250µA	72 nC @ 10 V	±20V	1696 pF @ 25 V	-	107W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-220AB	TO-220-3
IRFB7545PBF MOSFET N-CH 60V 95A TO220 Infineon Technologies	10 256 En stock	1 : 2,48000 $ Tube	HEXFET®, StrongIRFET™	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	95 A (Tc)	6V, 10V	5,9mohms à 57A, 10V	3,7V à 100µA	110 nC @ 10 V	±20V	4010 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-220	TO-220-3
IRLZ34NPBF MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB Infineon Technologies	3 950 En stock	1 : 2,66000 $ Tube	HEXFET®	Tube	Date de dernière disponibilité	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	55 V	30 A (Tc)	4V, 10V	35mohms à 16A, 10V	2V à 250µA	25 nC @ 5 V	±16V	880 pF @ 25 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-220AB	TO-220-3
IRF540ZPBF MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB Infineon Technologies	27 666 En stock	1 : 2,86000 $ Tube	HEXFET®	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	36 A (Tc)	10V	26,5mohms à 22A, 10V	4V à 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1770 pF @ 25 V	-	92W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-220AB	TO-220-3
IRF640NPBF MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB Infineon Technologies	28 676 En stock	1 : 2,94000 $ Tube	HEXFET®	Tube	Pas pour les nouvelles conceptions	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	200 V	18 A (Tc)	10V	150mohms à 11A, 10V	4V à 250µA	67 nC @ 10 V	±20V	1160 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-220AB	TO-220-3
IRF540NPBF MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB Infineon Technologies	9 307 En stock	1 : 2,97000 $ Tube	HEXFET®	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	33 A (Tc)	10V	44mohms à 16A, 10V	4V à 250µA	71 nC @ 10 V	±20V	1960 pF @ 25 V	-	130W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-220AB	TO-220-3
IRLZ44NPBF MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB Infineon Technologies	24 141 En stock	1 : 3,02000 $ Tube	HEXFET®	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	55 V	47 A (Tc)	4V, 10V	22mohms à 25A, 10V	2V à 250µA	48 nC @ 5 V	±16V	1700 pF @ 25 V	-	3,8W (Ta), 110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-220AB	TO-220-3
IRL540NPBF MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB Infineon Technologies	22 033 En stock	1 : 3,06000 $ Tube	HEXFET®	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	36 A (Tc)	4V, 10V	44mohms à 18A, 10V	2V à 250µA	74 nC @ 5 V	±16V	1800 pF @ 25 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-220AB	TO-220-3
STP17NF25 MOSFET N-CH 250V 17A TO220AB STMicroelectronics	11 020 En stock	1 : 3,10000 $ Tube	STripFET™ II	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	250 V	17 A (Tc)	10V	165mohms à 8,5A, 10V	4V à 250µA	29.5 nC @ 10 V	±20V	1000 pF @ 25 V	-	90W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-220	TO-220-3
IRF9540NPBF MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB Infineon Technologies	12 998 En stock	1 : 3,19000 $ Tube	HEXFET®	Tube	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	23 A (Tc)	10V	117mohms à 11A, 10V	4V à 250µA	97 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-220AB	TO-220-3
IRF5305PBF MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB Infineon Technologies	18 745 En stock	1 : 3,22000 $ Tube	HEXFET®	Tube	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	55 V	31 A (Tc)	10V	60mohms à 16A, 10V	4V à 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 25 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-220AB	TO-220-3
IRF510PBF MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB Vishay Siliconix	17 117 En stock	1 : 3,36000 $ Tube	-	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	5,6 A (Tc)	10V	540mohms à 3,4A, 10V	4V à 250µA	8.3 nC @ 10 V	±20V	180 pF @ 25 V	-	43W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-220AB	TO-220-3
MTP3055VL MOSFET N-CH 60V 12A TO220-3 onsemi	1 689 En stock	1 : 3,63000 $ Tube	-	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	12 A (Tc)	5V	180mohms à 6A, 5V	2V à 250µA	10 nC @ 5 V	±15V	570 pF @ 25 V	-	48W (Tc)	-65°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-220-3	TO-220-3
CSD18533KCS MOSFET N-CH 60V 72A/100A TO220-3 Texas Instruments	12 092 En stock	1 : 3,79000 $ Tube	NexFET™	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	72 A (Ta), 100 A (Tc)	4,5V, 10V	6,3mohms à 75A, 10V	2,3V à 250µA	34 nC @ 10 V	±20V	3025 pF @ 30 V	-	192W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-220-3	TO-220-3
IRLB3813PBF MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB Infineon Technologies	11 915 En stock	1 : 3,93000 $ Tube	HEXFET®	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	260 A (Tc)	4,5V, 10V	1,95mohms à 60A, 10V	2,35V à 150µA	86 nC @ 4.5 V	±20V	8420 pF @ 15 V	-	230W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-220AB	TO-220-3
IRF3710PBF MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB Infineon Technologies	840 En stock	1 : 3,94000 $ Tube	HEXFET®	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	57 A (Tc)	10V	23mohms à 28A, 10V	4V à 250µA	130 nC @ 10 V	±20V	3130 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-220AB	TO-220-3
IRF740PBF MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB Vishay Siliconix	9 107 En stock	1 : 4,14000 $ Tube	-	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	400 V	10 A (Tc)	10V	550mohms à 6A, 10V	4V à 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1400 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-220AB	TO-220-3
IRFB4227PBF MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB Infineon Technologies	3 105 En stock	1 : 4,25000 $ Tube	HEXFET®	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	200 V	65 A (Tc)	10V	24mohms à 46A, 10V	5V à 250µA	98 nC @ 10 V	±30V	4600 pF @ 25 V	-	330W (Tc)	-40°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-220AB	TO-220-3
IRL3705NPBF MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB Infineon Technologies	3 343 En stock	1 : 4,31000 $ Tube	HEXFET®	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	55 V	89 A (Tc)	4V, 10V	10mohms à 46A, 10V	2V à 250µA	98 nC @ 5 V	±16V	3600 pF @ 25 V	-	170W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-220AB	TO-220-3
IRL640PBF MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB Vishay Siliconix	1 109 En stock	1 : 4,48000 $ Tube	-	Tube	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	200 V	17 A (Tc)	4V, 5V	180mohms à 10A, 5V	2V à 250µA	66 nC @ 5 V	±10V	1800 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-220AB	TO-220-3
FQP27P06 MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3 onsemi	15 772 En stock	1 : 4,50000 $ Tube	QFET®	Tube	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	27 A (Tc)	10V	70mohms à 13,5A, 10V	4V à 250µA	43 nC @ 10 V	±25V	1400 pF @ 25 V	-	120W (Tc)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Trou traversant	TO-220-3	TO-220-3

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FET simple, MOSFET

Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

MOSFET à canal N: où les électrons sont les principaux porteurs.
MOSFET à canal P: où les trous sont porteurs primaires.

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.

FET simple, MOSFET

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