Canal N 650 V 30 A (Tc) 134W (Tc) Trou traversant TO-247N
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Canal N 650 V 30 A (Tc) 134W (Tc) Trou traversant TO-247N
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT3080ALGC11

Numéro de produit DigiKey
SCT3080ALGC11-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SCT3080ALGC11
Description
SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
27 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 30 A (Tc) 134W (Tc) Trou traversant TO-247N
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
5,6V à 5mA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
48 nC @ 18 V
Conditionnement
Tube
Vgs (max.)
+22V, -4V
Statut du composant
Actif
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
571 pF @ 500 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
134W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Type de montage
Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
TO-247N
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
104mohms à 10A, 18V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 413
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Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
120,76000 $20,76 $
3012,52967 $375,89 $
12010,72458 $1 286,95 $
5109,58698 $4 889,36 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.