
IMW65R048M1HXKSA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | 448-IMW65R048M1HXKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IMW65R048M1HXKSA1 |
Description | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 39 A (Tc) 125W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-41 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IMW65R048M1HXKSA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5,7V à 6mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 33 nC @ 18 V |
Série | Vgs (max.) +23V, -5V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1118 pF @ 400 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 125W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO247-3-41 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 64mohms à 20,1A, 18V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| MSC035SMA070B | Microchip Technology | 235 | MSC035SMA070B-ND | 16,23000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 15,43000 $ | 15,43 $ |
| 30 | 9,07733 $ | 272,32 $ |
| 120 | 7,68283 $ | 921,94 $ |
| 510 | 6,66147 $ | 3 397,35 $ |
| 1 020 | 6,49893 $ | 6 628,91 $ |









