30 A (Tc) FET, MOSFET simples

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
TO-252
SQD70140EL_GE3
MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
Vishay Siliconix
6 322
En stock
1 : 1,52000 $
Bande coupée (CT)
2 000 : 0,70657 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
30 A (Tc)
4,5V, 10V
15mohms à 30A, 10V
2,5V à 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 25 V
-
71W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
SIR401DP-T1-GE3
SIR426DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
21 582
En stock
1 : 1,86000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,61453 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
30 A (Tc)
4,5V, 10V
10,5mohms à 15A, 10V
2,5V à 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
1160 pF @ 20 V
-
4,8W (Ta), 41,7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SIS176LDN-T1-GE3
SIS890DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
10 743
En stock
1 : 1,93000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,79452 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
30 A (Tc)
4,5V, 10V
23,5mohms à 10A, 10V
3V à 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
802 pF @ 50 V
-
3,7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
IRFB4127PBFXKMA1
IRLZ34NPBF
MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB
Infineon Technologies
26 244
En stock
1 : 1,96000 $
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
55 V
30 A (Tc)
4V, 10V
35mohms à 16A, 10V
2V à 250µA
25 nC @ 5 V
±16V
880 pF @ 25 V
-
68W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-220AB
TO-220-3
TO-252AA (DPAK)
IRLR2908TRPBF
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Infineon Technologies
8 889
En stock
1 : 2,33000 $
Bande coupée (CT)
2 000 : 0,76240 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
80 V
30 A (Tc)
4,5V, 10V
28mohms à 23A, 10V
2,5V à 250µA
33 nC @ 4.5 V
±16V
1890 pF @ 25 V
-
120W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
SIS176LDN-T1-GE3
SIS892DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
832
En stock
1 : 2,44000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,88730 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
30 A (Tc)
4,5V, 10V
29mohms à 10A, 10V
3V à 250µA
21.5 nC @ 10 V
±20V
611 pF @ 50 V
-
3,7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PG-TO252-3-11
IPD30N10S3L34ATMA1
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
Infineon Technologies
21 461
En stock
1 : 2,56000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,80023 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
30 A (Tc)
4,5V, 10V
31mohms à 30A, 10V
2,4V à 29µA
31 nC @ 10 V
±20V
1976 pF @ 25 V
-
57W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-TO252-3-11
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
SQJA72EP-T1_GE3
SQJ461EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
3 036
En stock
1 : 4,84000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 1,92934 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
30 A (Tc)
4,5V, 10V
16mohms à 14,4A, 10V
2,5V à 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
4710 pF @ 30 V
-
83W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-247-3 AC EP
IRFP250NPBF
MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Infineon Technologies
1 173
En stock
1 : 5,02000 $
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
200 V
30 A (Tc)
10V
75mohms à 18A, 10V
4V à 250µA
123 nC @ 10 V
±20V
2159 pF @ 25 V
-
214W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-247AC
TO-247-3
TO-220F-3
FQPF47P06
MOSFET P-CH 60V 30A TO220F
onsemi
1 792
En stock
1 : 6,28000 $
Tube
Tube
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
30 A (Tc)
10V
26mohms à 15A, 10V
4V à 250µA
110 nC @ 10 V
±25V
3600 pF @ 25 V
-
62W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-220F-3
Boîtier complet TO-220-3
TO-247-3
SCT3080ALGC11
SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Rohm Semiconductor
544
En stock
1 : 10,40000 $
Tube
-
Tube
Actif
Canal N
SiCFET (carbure de silicium)
650 V
30 A (Tc)
18V
104mohms à 10A, 18V
5,6V à 5mA
48 nC @ 18 V
+22V, -4V
571 pF @ 500 V
-
134W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-247N
TO-247-3
C3M0065090J
C3M0075120J
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
3 589
En stock
1 : 19,02000 $
Tube
Tube
Actif
Canal N
SiCFET (carbure de silicium)
1200 V
30 A (Tc)
15V
90mohms à 20A, 15V
4V à 5mA
51 nC @ 15 V
+19V, -8V
1350 pF @ 1000 V
-
113,6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK-7
TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
C2D10120D
C3M0075120D
SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
435
En stock
1 : 19,02000 $
Tube
Tube
Actif
Canal N
SiCFET (carbure de silicium)
1200 V
30 A (Tc)
15V
90mohms à 20A, 15V
4V à 5mA
54 nC @ 15 V
+19V, -8V
1350 pF @ 1000 V
-
113,6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-247-3
TO-247-3
TO263-7
C3M0075120J-TR
SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Wolfspeed, Inc.
283
En stock
1 : 19,02000 $
Bande coupée (CT)
800 : 8,88049 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
SiCFET (carbure de silicium)
1200 V
30 A (Tc)
15V
90mohms à 20A, 15V
4V à 5mA
51 nC @ 15 V
+15V, -4V
1350 pF @ 1000 V
-
113,6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-263-7
TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
C3M0065100K
C3M0075120K
SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
547
En stock
1 : 20,25000 $
Tube
Tube
Actif
Canal N
SiCFET (carbure de silicium)
1200 V
30 A (Tc)
15V
90mohms à 20A, 15V
4V à 5mA
51 nC @ 15 V
+19V, -8V
1350 pF @ 1000 V
-
113,6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-247-4L
TO-247-4
PG-TO252-3
IPD135N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Infineon Technologies
21 122
En stock
1 : 0,72000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,28775 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
30 A (Tc)
4,5V, 10V
13,5mohms à 30A, 10V
2,2V à 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 15 V
-
31W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
PowerPak SC-70-6 Single
SIAA40DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
3 815
En stock
1 : 0,74000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,36006 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
30 A (Tc)
4,5V, 10V
12,5mohms à 5A, 10V
2,4V à 250µA
12 nC @ 4.5 V
+20V, -16V
1200 pF @ 20 V
-
19,2W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® SC-70-6 simple
PowerPAK® SC-70-6
PG-TO252-3-11
IPD30N06S2L23ATMA3
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Infineon Technologies
12 848
En stock
1 : 0,84000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,68476 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
55 V
30 A (Tc)
4,5V, 10V
23mohms à 22A, 10V
2V à 50µA
42 nC @ 10 V
±20V
1091 pF @ 25 V
-
100W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-TO252-3-11
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
PG-TO252-3-11
IPD30N06S4L23ATMA2
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31
Infineon Technologies
1 929
En stock
1 : 0,86000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,53412 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
30 A (Tc)
4,5V, 10V
23mohms à 30A, 10V
2,2V à 10µA
21 nC @ 10 V
±16V
1560 pF @ 25 V
-
36W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-TO252-3-11
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
SIS176LDN-T1-GE3
SIS435DNT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
6 127
En stock
1 : 0,92000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,43607 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
30 A (Tc)
1,8V, 4,5V
5,4mohms à 13A, 4,5V
900mV à 250µA
180 nC @ 8 V
±8V
5700 pF @ 10 V
-
3,7W (Ta), 39W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
3 827
En stock
1 : 1,02000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,25310 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
30 A (Tc)
1,8V, 4,5V
7mohms à 15A, 4,5V
1V à 250µA
29 nC @ 4.5 V
±10V
1700 pF @ 10 V
-
30W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
18 255
En stock
1 : 1,09000 $
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,42738 $
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
30 A (Tc)
4,5V, 10V
34mohms à 15A, 10V
2,5V à 250µA
16.6 nC @ 10 V
±20V
1180 pF @ 30 V
-
66W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
SQJA72EP-T1_GE3
SQJA60EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
1 321
En stock
1 : 1,30000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,67018 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
30 A (Tc)
4,5V, 10V
12,5mohms à 8A, 10V
2,5V à 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 25 V
-
45W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRLZ34NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Infineon Technologies
25 443
En stock
1 : 1,37000 $
Bande coupée (CT)
800 : 0,75929 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
55 V
30 A (Tc)
4V, 10V
35mohms à 16A, 10V
2V à 250µA
25 nC @ 5 V
±16V
880 pF @ 25 V
-
3,8W (Ta), 68W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
SQJA80EP-T1_GE3
SQJ415EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5 488
En stock
1 : 1,43000 $
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,59530 $
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
30 A (Tc)
4,5V, 10V
14mohms à 10A, 10V
2,5V à 250µA
95 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 25 V
-
45W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
Affichage de
sur 560

FET simple, MOSFET

Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

  • Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
  • Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

  1. Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
  2. Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
  3. Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.