
IMW65R107M1HXKSA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | 448-IMW65R107M1HXKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IMW65R107M1HXKSA1 |
Description | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 20 A (Tc) 75W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-41 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IMW65R107M1HXKSA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5,7V à 3mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15 nC @ 18 V |
Série | Vgs (max.) +23V, -5V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 496 pF @ 400 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 75W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO247-3-41 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 142mohms à 8,9A, 18V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| MSC060SMA070B | Microchip Technology | 318 | MSC060SMA070B-ND | 8,59000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 12,77000 $ | 12,77 $ |
| 30 | 7,30200 $ | 219,06 $ |
| 120 | 6,09933 $ | 731,92 $ |
| 510 | 5,21769 $ | 2 661,02 $ |
| 1 020 | 4,89610 $ | 4 994,02 $ |
| 2 010 | 4,63116 $ | 9 308,63 $ |










