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Produit marketplace
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IMW65R050M2HXKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-IMW65R050M2HXKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IMW65R050M2HXKSA1 |
Description | SILICON CARBIDE MOSFET |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 61 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 38 A (Tc) 153W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-40 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5,6V à 3,7mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 22 nC @ 18 V |
Série | Vgs (max.) +23V, -7V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 790 pF @ 400 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 153W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO247-3-40 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 20V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 46mohms à 18,2A, 20V |
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Documents et supports
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 13,63000 $ | 13,63 $ |
| 30 | 7,93867 $ | 238,16 $ |
| 120 | 6,68717 $ | 802,46 $ |
| 510 | 5,77057 $ | 2 942,99 $ |
| 1 020 | 5,52021 $ | 5 630,61 $ |
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