
SIS892ADN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SIS892ADN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIS892ADN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIS892ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIS892ADN-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 42 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 28 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIS892ADN-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 19.5 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 550 pF @ 50 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 3,7W (Ta), 52W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 33mohms à 10A, 10V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,65000 $ | 2,65 $ |
| 10 | 1,67600 $ | 16,76 $ |
| 100 | 1,11820 $ | 111,82 $ |
| 500 | 0,87948 $ | 439,74 $ |
| 1 000 | 0,80263 $ | 802,63 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,70505 $ | 2 115,15 $ |
| 6 000 | 0,65595 $ | 3 935,70 $ |
| 9 000 | 0,63094 $ | 5 678,46 $ |
| 15 000 | 0,60285 $ | 9 042,75 $ |
| 21 000 | 0,59678 $ | 12 532,38 $ |




