Name: FDMC86259P
Brand: onsemi
SKU: FDMC86259PTR-ND
Price: 6.64 CAD
Availability: InStock

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FDMC86259P
Numéro de produit DigiKey	FDMC86259PTR-ND - Bande et bobine FDMC86259PCT-ND - Bande coupée (CT) FDMC86259PDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDMC86259P
Description	MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	43 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 150 V 3,2 A (Ta), 13 A (Tc) 2,3W (Ta), 62W (Tc) Montage en surface Power33
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDMC86259P Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 32 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±25V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2045 pF @ 75 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,3W (Ta), 62W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 150 V	Boîtier fournisseur Power33
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,2 A (Ta), 13 A (Tc)	Boîtier 8-PowerWDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base FDMC86259
Rds On (max.) à Id, Vgs 107mohms à 3A, 10V