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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIS890DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIS890DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIS890DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIS890DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIS890DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 42 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 30 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIS890DN-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 29 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 802 pF @ 50 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 3,7W (Ta), 52W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 23,5mohms à 10A, 10V |
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Documents et supports
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Ressources supplémentaires
En stock: 39 575
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,20000 $ | 3,20 $ |
| 10 | 2,04700 $ | 20,47 $ |
| 100 | 1,38010 $ | 138,01 $ |
| 500 | 1,09472 $ | 547,36 $ |
| 1 000 | 1,00294 $ | 1 002,94 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,88644 $ | 2 659,32 $ |
| 6 000 | 0,82782 $ | 4 966,92 $ |
| 9 000 | 0,79796 $ | 7 181,64 $ |
| 15 000 | 0,77966 $ | 11 694,90 $ |
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