Name: SIR882DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR882DP-T1-GE3TR-ND
Price: 5.31 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SIR882DP-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIR882DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIR882DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIR882DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIR882DP-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	42 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 60 A (Tc) 5,4W (Ta), 83W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIR882DP-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,8V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 58 nC @ 10 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1930 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 5,4W (Ta), 83W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 60 A (Tc)	Boîtier PowerPAK® SO-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base SIR882
Rds On (max.) à Id, Vgs 8,7mohms à 20A, 10V