RS1L145GNTB Rohm Semiconductor | FET, MOSFET simples

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RS1L145GNTB
Numéro de produit DigiKey	RS1L145GNTBTR-ND - Bande et bobine RS1L145GNTBCT-ND - Bande coupée (CT) RS1L145GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RS1L145GNTB
Description	MOSFET N-CH 60V 14.5A/47A 8HSOP
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 14,5A (Ta), 47A (Tc) 3W (Ta) Montage en surface 8-HSOP
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,7V à 200µA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 37 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Obsolète	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1880 pF @ 30 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 14,5A (Ta), 47A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-HSOP
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 9,7mohms à 14,5A, 10V	Numéro de produit de base RS1L

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (3)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
RS6L090BGTB1	Rohm Semiconductor	700	846-RS6L090BGTB1CT-ND	4,85000 $	Recommandation fabricant
BSZ099N06LS5ATMA1	Infineon Technologies	4 368	448-BSZ099N06LS5ATMA1CT-ND	2,25000 $	Similaire
DMT6010LPS-13	Diodes Incorporated	3 046	DMT6010LPS-13DICT-ND	2,54000 $	Similaire

En stock: 558

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RS1L145GNTB