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SIHP22N60AE-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHP22N60AE-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHP22N60AE-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 20 A (Tc) 179W (Tc) Trou traversant TO-220AB |
Fiche technique | Fiche technique |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 96 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1451 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 179W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur TO-220AB |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 180mohms à 11A, 10V |
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Substituts (8)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHP22N60AE-BE3 | Vishay Siliconix | 1 938 | 742-SIHP22N60AE-BE3-ND | 7,75000 $ | Direct |
| FCP190N65S3 | onsemi | 635 | FCP190N65S3-ND | 7,16000 $ | Similaire |
| IPP60R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | 1 839 | 448-IPP60R190E6XKSA1-ND | 5,87000 $ | Similaire |
| IXFP24N60X | IXYS | 0 | IXFP24N60X-ND | 4,75807 $ | Similaire |
| IXFP30N60X | IXYS | 0 | IXFP30N60X-ND | 5,38853 $ | Similaire |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 000 | 3,19945 $ | 3 199,45 $ |
