
IPP60R190E6XKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-IPP60R190E6XKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPP60R190E6XKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPP60R190E6XKSA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 630µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 63 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1400 pF @ 100 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 151W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 190mohms à 9,5A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | 8,59000 $ | Similaire |
| FCP190N65S3 | onsemi | 635 | FCP190N65S3-ND | 7,16000 $ | Similaire |
| SIHP21N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP21N65EF-GE3-ND | 9,10000 $ | Similaire |
| SIHP22N60E-E3 | Vishay Siliconix | 861 | 742-SIHP22N60E-E3-ND | 8,18000 $ | Similaire |
| SIHP23N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 803 | SIHP23N60E-GE3-ND | 6,95000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 5,87000 $ | 5,87 $ |
| 50 | 2,96040 $ | 148,02 $ |
| 100 | 2,67800 $ | 267,80 $ |
| 500 | 2,18328 $ | 1 091,64 $ |
| 1 000 | 2,02434 $ | 2 024,34 $ |
| 2 000 | 1,89076 $ | 3 781,52 $ |
| 5 000 | 1,78322 $ | 8 916,10 $ |



