SIHP17N60D-E3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Canal N 600 V 17 A (Tc) 277,8W (Tc) Trou traversant TO-220AB
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SIHP17N60D-E3

Numéro de produit DigiKey
SIHP17N60D-E3-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SIHP17N60D-E3
Description
MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 17 A (Tc) 277,8W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SIHP17N60D-E3 Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
90 nC @ 10 V
Conditionnement
Tube
Vgs (max.)
±30V
Statut du composant
Obsolète
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1780 pF @ 100 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
277,8W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Type de montage
Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
TO-220AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
340mohms à 8A, 10V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (20)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
SIHP15N60E-GE3Vishay Siliconix16 512SIHP15N60E-GE3-ND6,48000 $Recommandation fabricant
AOT11S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.995785-1250-5-ND5,54000 $Similaire
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Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.