
IPP60R299CPXKSA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | 448-IPP60R299CPXKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPP60R299CPXKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 11 A (Tc) 96W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPP60R299CPXKSA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 440µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 29 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1100 pF @ 100 V |
Statut du composant Date de dernière disponibilité | Dissipation de puissance (max.) 96W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 299mohms à 6,6A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | 44 | IPP60R280P7XKSA1-ND | 4,00000 $ | Recommandation fabricant |
| STP13N80K5 | STMicroelectronics | 1 174 | 497-13779-5-ND | 6,67000 $ | Direct |
| FCP11N60 | onsemi | 1 602 | FCP11N60-ND | 6,44000 $ | Similaire |
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1 719 | IRF830APBF-ND | 4,77000 $ | Similaire |
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | 732 | IRFBC30APBF-ND | 6,16000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 4,94000 $ | 4,94 $ |
| 50 | 2,46940 $ | 123,47 $ |
| 100 | 2,22940 $ | 222,94 $ |
| 500 | 1,90474 $ | 952,37 $ |

