Canal N 650 V 11 A (Tc) 96W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3
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IPP60R299CPXKSA1

Numéro de produit DigiKey
448-IPP60R299CPXKSA1-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IPP60R299CPXKSA1
Description
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 11 A (Tc) 96W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IPP60R299CPXKSA1 Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 440µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
29 nC @ 10 V
Série
Vgs (max.)
±20V
Conditionnement
Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1100 pF @ 100 V
Statut du composant
Date de dernière disponibilité
Dissipation de puissance (max.)
96W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Trou traversant
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Boîtier fournisseur
PG-TO220-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
299mohms à 6,6A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (12)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
IPP60R280P7XKSA1Infineon Technologies44IPP60R280P7XKSA1-ND4,00000 $Recommandation fabricant
STP13N80K5STMicroelectronics1 174497-13779-5-ND6,67000 $Direct
FCP11N60onsemi1 602FCP11N60-ND6,44000 $Similaire
IRF830APBFVishay Siliconix1 719IRF830APBF-ND4,77000 $Similaire
IRFBC30APBFVishay Siliconix732IRFBC30APBF-ND6,16000 $Similaire
En stock: 990
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Date de dernière disponibilité : 2026-09-30
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
14,94000 $4,94 $
502,46940 $123,47 $
1002,22940 $222,94 $
5001,90474 $952,37 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.