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SIHP050N60E-GE3
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SIHP12N65E-GE3

Numéro de produit DigiKey
SIHP12N65E-GE3-ND
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SIHP12N65E-GE3
Description
MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
25 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 12 A (Tc) 156W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SIHP12N65E-GE3 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
12 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
380mohms à 6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1224 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
156W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220AB
Boîtier
TO-220-3
Numéro de produit de base
SIHP12
Questions et réponses sur les produits

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0 en stock
Vérifier le délai d'approvisionnement
Demande de notification de stock
Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
14,62000 $4,62 $
102,99600 $29,96 $
1002,07440 $207,44 $
5001,68044 $840,22 $
1 0001,55384 $1 553,84 $
2 0001,44740 $2 894,80 $
5 0001,42526 $7 126,30 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.