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SIHD7N60ET4-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHD7N60ET4-GE3-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHD7N60ET4-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Montage en surface TO-252AA |
Fiche technique | Fiche technique |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 40 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 680 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 78W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur TO-252AA |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 600mohms à 3,5A, 10V |
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Substituts (10)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHD7N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHD7N60E-E3-ND | 1,53687 $ | Équivalent paramétrique |
| SIHD7N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 20 | SIHD7N60E-GE3-ND | 4,51000 $ | Équivalent paramétrique |
| SIHD7N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHD7N60ET1-GE3TR-ND | 1,23525 $ | Équivalent paramétrique |
| SIHD7N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHD7N60ET5-GE3-ND | 1,35188 $ | Équivalent paramétrique |
| IPD80R450P7ATMA1 | Infineon Technologies | 8 734 | IPD80R450P7ATMA1CT-ND | 4,14000 $ | Similaire |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,11333 $ | 3 339,99 $ |
| 6 000 | 1,09731 $ | 6 583,86 $ |
