Équivalent paramétrique
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Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique

SIHD7N60ET1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 742-SIHD7N60ET1-GE3TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHD7N60ET1-GE3 |
Description | N-CHANNEL 600V |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Montage en surface TO-252AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 600mohms à 3,5A, 10V |
Fabricant | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 40 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 680 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 78W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-252AA |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHD7N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHD7N60E-E3-ND | 1,53687 $ | Équivalent paramétrique |
| SIHD7N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 20 | SIHD7N60E-GE3-ND | 4,51000 $ | Équivalent paramétrique |
| SIHD7N60ET4-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHD7N60ET4-GE3-ND | 1,11333 $ | Équivalent paramétrique |
| SIHD7N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHD7N60ET5-GE3-ND | 1,35188 $ | Équivalent paramétrique |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 000 | 1,23525 $ | 2 470,50 $ |
| 4 000 | 1,20615 $ | 4 824,60 $ |
| 6 000 | 1,19159 $ | 7 149,54 $ |
| 10 000 | 1,17544 $ | 11 754,40 $ |




