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SIHD7N60E-E3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHD7N60E-E3-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHD7N60E-E3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 7A DPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Montage en surface TO-252AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIHD7N60E-E3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 40 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 680 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 78W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-252AA |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 600mohms à 3,5A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (6)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD60R600E6ATMA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPD60R600E6ATMA1TR-ND | 0,00000 $ | Similaire |
| IXTY8N65X2 | IXYS | 345 | IXTY8N65X2-ND | 7,25000 $ | Similaire |
| STD10N60M2 | STMicroelectronics | 3 547 | 497-13937-1-ND | 2,74000 $ | Similaire |
| STD11N65M5 | STMicroelectronics | 2 521 | 497-12935-1-ND | 4,14000 $ | Similaire |
| STD11NM60ND | STMicroelectronics | 385 | 497-8477-1-ND | 7,68000 $ | Similaire |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,53687 $ | 4 610,61 $ |
