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IRF640PBF | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IRF640PBF-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IRF640PBF |
Description | MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 28 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 200 V 18 A (Tc) 125W (Tc) Trou traversant TO-220AB |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IRF640PBF Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 70 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1300 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 125W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 200 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-220AB |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 180mohms à 11A, 10V | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF640PBF-BE3 | Vishay Siliconix | 69 | 742-IRF640PBF-BE3-ND | 5,82000 $ | Direct |
| FDP18N20F | onsemi | 0 | FDP18N20F-ND | 0,00000 $ | Similaire |
| FQP19N20 | onsemi | 0 | FQP19N20FS-ND | 1,23660 $ | Similaire |
| FQP19N20C | onsemi | 0 | FQP19N20C-ND | 1,10174 $ | Similaire |
| IRF200B211 | Infineon Technologies | 108 | IRF200B211-ND | 4,05000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 6,84000 $ | 6,84 $ |
| 50 | 3,49700 $ | 174,85 $ |
| 100 | 3,17210 $ | 317,21 $ |
| 500 | 2,60294 $ | 1 301,47 $ |
| 1 000 | 2,42012 $ | 2 420,12 $ |
| 2 000 | 2,26647 $ | 4 532,94 $ |
| 5 000 | 2,18883 $ | 10 944,15 $ |















