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IRF640PBF | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IRF640PBF-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IRF640PBF |
Description | MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 31 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 200 V 18 A (Tc) 125W (Tc) Trou traversant TO-220AB |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IRF640PBF Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 70 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1300 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 125W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 200 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-220AB |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 180mohms à 11A, 10V | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF640PBF-BE3 | Vishay Siliconix | 74 | 742-IRF640PBF-BE3-ND | 5,74000 $ | Direct |
| FDP18N20F | onsemi | 0 | FDP18N20F-ND | 0,00000 $ | Similaire |
| FQP19N20 | onsemi | 0 | FQP19N20FS-ND | 1,22145 $ | Similaire |
| FQP19N20C | onsemi | 0 | FQP19N20C-ND | 1,08825 $ | Similaire |
| IRF200B211 | Infineon Technologies | 108 | IRF200B211-ND | 3,43000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 5,74000 $ | 5,74 $ |
| 50 | 2,89040 $ | 144,52 $ |
| 100 | 2,61370 $ | 261,37 $ |
| 500 | 2,12872 $ | 1 064,36 $ |
| 1 000 | 1,97293 $ | 1 972,93 $ |
| 2 000 | 1,84197 $ | 3 683,94 $ |
| 5 000 | 1,73066 $ | 8 653,30 $ |















