FDP18N20F onsemi | FET, MOSFET simples

FDP18N20F est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

Recommandation fabricant

onsemi

En stock: 402

Prix unitaire : 3,60000 $

Direct

Infineon Technologies

En stock: 28 083

Prix unitaire : 2,94000 $

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FDP18N20F
Numéro de produit DigiKey	FDP18N20F-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDP18N20F
Description	MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 18 A (Tc) 100W (Tc) Trou traversant TO-220-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 26 nC @ 10 V
Série UniFET™	Vgs (max.) ±30V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1180 pF @ 25 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 100W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 200 V	Boîtier fournisseur TO-220-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18 A (Tc)	Boîtier TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base FDP18
Rds On (max.) à Id, Vgs 145mohms à 9A, 10V