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Produit marketplace
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
FDP86363-F085 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FDP86363-F085-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FDP86363-F085 |
Description | MOSFET N-CH 80V 110A TO220-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 80 V 110 A (Tc) 300W (Tc) Trou traversant TO-220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | FDP86363-F085 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 150 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 10000 pF @ 40 V |
Conditionnement Tube | Dissipation de puissance (max.) 300W (Tc) |
Statut du composant Obsolète | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 80 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-220-3 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,8mohms à 80A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
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Substituts (4)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| NVMFS6H800NT1G | onsemi | 11 606 | NVMFS6H800NT1GOSCT-ND | 9,81000 $ | Recommandation fabricant |
| IPP120N08S403AKSA1 | Infineon Technologies | 8 083 | 448-IPP120N08S403AKSA1-ND | 11,00000 $ | Direct |
| AOT282L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | AOT282L-ND | 3,10322 $ | Similaire |
| TK100E10N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 2 012 | TK100E10N1S1X-ND | 9,52000 $ | Similaire |
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Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 6,64000 $ | 6,64 $ |
| 50 | 3,41460 $ | 170,73 $ |
| 100 | 3,10220 $ | 310,22 $ |
