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AOT282L | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | AOT282L-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | AOT282L |
Description | MOSFET N-CH 80V 18.5A/105A TO220 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 20 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 80 V 18,5 A (Ta), 105 A (Tc) 2,1W (Ta), 272,5W (Tc) Trou traversant TO-220 |
Fiche technique | Fiche technique |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 178 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7765 pF @ 40 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 2,1W (Ta), 272,5W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 80 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-220 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,5mohms à 20A, 10V | Numéro de produit de base |
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| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FDP032N08B-F102 | onsemi | 769 | FDP032N08B-F102-ND | 6,05000 $ | Similaire |
| FDP036N10A | onsemi | 1 809 | FDP036N10A-ND | 9,72000 $ | Similaire |
| FDP86363-F085 | onsemi | 183 | FDP86363-F085-ND | 6,64000 $ | Similaire |
| TK100E08N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 90 | TK100E08N1S1X-ND | 9,52000 $ | Similaire |
Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 000 | 3,59553 $ | 3 595,53 $ |
