
IPP120N08S403AKSA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | 448-IPP120N08S403AKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPP120N08S403AKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 80 V 120 A (Tc) 278W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-1 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPP120N08S403AKSA1 Modèles |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 167 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 11550 pF @ 25 V |
Conditionnement Tube | Dissipation de puissance (max.) 278W (Tc) |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 80 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur PG-TO220-3-1 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,8mohms à 100A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 223µA |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FDP036N10A | onsemi | 1 809 | FDP036N10A-ND | 9,72000 $ | Similaire |
| TK100E08N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 90 | TK100E08N1S1X-ND | 9,52000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 12,84000 $ | 12,84 $ |
| 50 | 6,85140 $ | 342,57 $ |
| 100 | 6,27350 $ | 627,35 $ |
| 500 | 5,26146 $ | 2 630,73 $ |
| 1 000 | 4,93667 $ | 4 936,67 $ |
| 2 000 | 4,66375 $ | 9 327,50 $ |



