FCPF7N60 est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Direct


Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 0
Prix unitaire : 4,42000 $
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 140
Prix unitaire : 2,42000 $
Fiche technique

Similaire


Rohm Semiconductor
En stock: 490
Prix unitaire : 5,24000 $
Fiche technique

Similaire


Rohm Semiconductor
En stock: 183
Prix unitaire : 6,96000 $
Fiche technique

Similaire


Rohm Semiconductor
En stock: 76
Prix unitaire : 4,50000 $
Fiche technique

Similaire


Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : 5,14000 $
Fiche technique

Similaire


Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : 1,63649 $
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 1 764
Prix unitaire : 3,65000 $
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 1 272
Prix unitaire : 3,00000 $
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 313
Prix unitaire : 6,85000 $
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 257
Prix unitaire : 4,11000 $
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 1 349
Prix unitaire : 7,05000 $
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 767
Prix unitaire : 5,68000 $
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 998
Prix unitaire : 5,48000 $
Fiche technique
Canal N 600 V 7 A (Tc) 31W (Tc) Trou traversant TO-220F-3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FCPF7N60

Numéro de produit DigiKey
FCPF7N60-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
FCPF7N60
Description
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 7 A (Tc) 31W (Tc) Trou traversant TO-220F-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
FCPF7N60 Modèles
Attributs du produit
Filtrer les produits similaires
Afficher les attributs vides
Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
30 nC @ 10 V
Série
Vgs (max.)
±30V
Conditionnement
Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
920 pF @ 25 V
Statut du composant
Obsolète
Dissipation de puissance (max.)
31W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Trou traversant
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Boîtier fournisseur
TO-220F-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
600mohms à 3,5A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (16)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
TK560A65Y,S4XToshiba Semiconductor and Storage0TK560A65YS4X-ND4,42000 $Direct
IPA60R600P7SXKSA1Infineon Technologies140IPA60R600P7SXKSA1-ND2,42000 $Similaire
R6007ENXRohm Semiconductor490R6007ENX-ND5,24000 $Similaire
R6009ENXRohm Semiconductor183R6009ENX-ND6,96000 $Similaire
R6009KNXRohm Semiconductor76R6009KNX-ND4,50000 $Similaire
Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.