



R6007ENX | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | R6007ENX-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | R6007ENX |
Description | MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 18 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 7 A (Tc) 40W (Tc) Trou traversant TO-220FM |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | R6007ENX Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20 nC @ 10 V |
Conditionnement En vrac | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 390 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 40W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-220FM |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 620mohms à 2,4A, 10V | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPAN65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | 14 | IPAN65R650CEXKSA1-ND | 2,57000 $ | Similaire |
| IXTP4N70X2M | IXYS | 24 | 238-IXTP4N70X2M-ND | 7,84000 $ | Similaire |
| TK8A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | 40 | TK8A65WS5X-ND | 4,14000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 5,24000 $ | 5,24 $ |
| 10 | 3,40800 $ | 34,08 $ |
| 100 | 2,36360 $ | 236,36 $ |
| 500 | 1,91700 $ | 958,50 $ |
| 1 000 | 1,77352 $ | 1 773,52 $ |
| 2 000 | 1,65291 $ | 3 305,82 $ |
| 5 000 | 1,52853 $ | 7 642,65 $ |

