
STF10N60M2 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 497-13945-5-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | STF10N60M2 |
Description | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 18 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 7,5 A (Tc) 25W (Tc) Trou traversant TO-220FP |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | STF10N60M2 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 13.5 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±25V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 400 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 25W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur TO-220FP |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 600mohms à 4A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA70R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | 400 | IPA70R600P7SXKSA1-ND | 2,98000 $ | Similaire |
| PJMF580N60E1_T0_00001 | Panjit International Inc. | 1 952 | 3757-PJMF580N60E1_T0_00001-ND | 2,57000 $ | Similaire |
| R6009KNX | Rohm Semiconductor | 76 | R6009KNX-ND | 4,55000 $ | Similaire |
| SPA07N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | 24 | SPA07N60C3XKSA1-ND | 5,52000 $ | Similaire |
| TK12A60D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 68 | TK12A60D(STA4QM)-ND | 6,17000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,04000 $ | 3,04 $ |
| 50 | 1,45780 $ | 72,89 $ |
| 100 | 1,30270 $ | 130,27 $ |
| 500 | 1,03036 $ | 515,18 $ |
| 1 000 | 0,94277 $ | 942,77 $ |
| 2 000 | 0,86909 $ | 1 738,18 $ |
| 5 000 | 0,78938 $ | 3 946,90 $ |
| 10 000 | 0,74016 $ | 7 401,60 $ |

