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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHF7N60E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHF7N60E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHF7N60E-GE3 |
Description | MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 7 A (Tc) 31W (Tc) Trou traversant Boîtier complet TO-220 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 40 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 680 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 31W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur Boîtier complet TO-220 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 600mohms à 3,5A, 10V |
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Substituts (1)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHF7N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHF7N60E-E3-ND | 5,14000 $ | Équivalent paramétrique |
Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 000 | 1,47019 $ | 1 470,19 $ |
