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Prix unitaire : 10,36000 $
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PG-TO220-3-1
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IPP65R110CFDAAKSA1

Numéro de produit DigiKey
448-IPP65R110CFDAAKSA1-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IPP65R110CFDAAKSA1
Description
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
15 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IPP65R110CFDAAKSA1 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
CoolMOS™
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
31,2 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
110mohms à 12,7 A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 1,3mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3240 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
277,8W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
PG-TO220-3
Boîtier
TO-220-3
Numéro de produit de base
IPP65R110
Questions et réponses sur les produits

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0 en stock
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
19,76000 $9,76 $
505,21760 $260,88 $
1004,77840 $477,84 $
5004,08238 $2 041,19 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
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