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IPP65R110CFDAAKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-IPP65R110CFDAAKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPP65R110CFDAAKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 25 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPP65R110CFDAAKSA1 Modèles |
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 118 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3240 pF @ 100 V |
Conditionnement Tube | Dissipation de puissance (max.) 277,8W (Tc) |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur PG-TO220-3 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 110mohms à 12,7 A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 1,3mA |
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Substituts (6)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| AOT42S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 3 045 | 785-1515-5-ND | 12,07000 $ | Similaire |
| FCP125N65S3 | onsemi | 2 265 | 488-FCP125N65S3-ND | 8,58000 $ | Similaire |
| IXTP32N65X | IXYS | 0 | IXTP32N65X-ND | 8,09640 $ | Similaire |
| SIHP30N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHP30N60E-E3-ND | 5,09919 $ | Similaire |
| TK25E60X5,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 90 | 264-TK25E60X5,S1X-ND | 10,60000 $ | Similaire |
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Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 11,13000 $ | 11,13 $ |
| 50 | 5,94680 $ | 297,34 $ |
| 100 | 5,44650 $ | 544,65 $ |
| 500 | 4,57046 $ | 2 285,23 $ |
| 1 000 | 4,28930 $ | 4 289,30 $ |
| 2 000 | 4,21827 $ | 8 436,54 $ |
