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Prix unitaire : 10,58000 $
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En stock: 98
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Fiche technique
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SIHP050N60E-GE3
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SIHP30N60E-E3

Numéro de produit DigiKey
742-SIHP30N60E-E3-ND
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SIHP30N60E-E3
Description
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
25 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 29 A (Tc) 250W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SIHP30N60E-E3 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
29 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
125mohms à 15A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2600 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
250W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220AB
Boîtier
TO-220-3
Numéro de produit de base
SIHP30
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
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1 0004,00563 $4 005,63 $
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