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SUP90N06-6M0P-E3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SUP90N06-6M0P-E3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SUP90N06-6M0P-E3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SUP90N06-6M0P-E3 |
Description | MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 60 V 90 A (Tc) 3,75W (Ta), 272W (Tc) Trou traversant TO-220AB |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SUP90N06-6M0P-E3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 120 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4700 pF @ 30 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 3,75W (Ta), 272W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 60 V | Boîtier fournisseur TO-220AB |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 6mohms à 20A, 10V |
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Substituts (8)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SUP50010E-GE3 | Vishay Siliconix | 54 | SUP50010E-GE3-ND | 8,01000 $ | Recommandation fabricant |
| CSD18533KCS | Texas Instruments | 11 277 | 296-35013-ND | 3,79000 $ | Similaire |
| FDP070AN06A0 | onsemi | 804 | FDP070AN06A0-ND | 4,96000 $ | Similaire |
| FDP5800 | onsemi | 16 | FDP5800-ND | 5,13000 $ | Similaire |
| IRFB3307PBF | Infineon Technologies | 847 | 448-IRFB3307PBF-ND | 4,51000 $ | Similaire |
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