Name: SUP90100E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SUP90100E-GE3-ND
Price: 6.84 CAD
Availability: InStock

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SUP90100E-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SUP90100E-GE3-ND
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SUP90100E-GE3
Description	N-CHANNEL 200 V (D-S) MOSFET TO-
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	33 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 150 A (Tc) 375W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	150 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	7,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	10,9mohms à 16A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3930 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	375W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220AB
Boîtier	TO-220-3