SUP60N02-4M5P-E3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET simples

SUP60N02-4M5P-E3 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Vishay Siliconix

En stock: 7 752

Prix unitaire : 3,63000 $

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SUP60N02-4M5P-E3
Numéro de produit DigiKey	SUP60N02-4M5P-E3-ND
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SUP60N02-4M5P-E3
Description	MOSFET N-CH 20V 60A TO220AB
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 60 A (Tc) 3,75W (Ta), 120W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 50 nC @ 4.5 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5950 pF @ 10 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 3,75W (Ta), 120W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Boîtier fournisseur TO-220AB
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 60 A (Tc)	Boîtier TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base SUP60
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,5mohms à 20A, 10V

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Ressources supplémentaires

Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
SUD50N04-8M8P-4GE3	Vishay Siliconix	7 752	SUD50N04-8M8P-4GE3CT-ND	3,63000 $	Direct

Obsolète

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SUP60N02-4M5P-E3