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SUP50020E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SUP50020E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SUP50020E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 55 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 60 V 120 A (Tc) 375W (Tc) Trou traversant TO-220AB |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 2,4mohms à 30A, 10V |
Fabricant | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 128 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 375W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 60 V | Boîtier fournisseur TO-220AB |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7,5V, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (2)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FDP023N08B-F102 | onsemi | 148 | FDP023N08B-F102OS-ND | 7,53000 $ | Similaire |
| TK100E06N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 43 | TK100E06N1S1X-ND | 6,68000 $ | Similaire |
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Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 6,45000 $ | 6,45 $ |
| 50 | 3,28000 $ | 164,00 $ |
| 100 | 2,97270 $ | 297,27 $ |
| 500 | 2,43396 $ | 1 216,98 $ |
| 1 000 | 2,26094 $ | 2 260,94 $ |
| 2 000 | 2,11551 $ | 4 231,02 $ |
| 5 000 | 2,02713 $ | 10 135,65 $ |
