SQP90142E_GE3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET simples

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Prix unitaire : 15,96000 $

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SQP90142E_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQP90142E_GE3-ND
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQP90142E_GE3
Description	MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 78,5 A (Tc) 250W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SQP90142E_GE3 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 85 nC @ 10 V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs (max.) ±20V
Série TrenchFET®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4200 pF @ 25 V
Conditionnement Tube	Dissipation de puissance (max.) 250W (Tc)
Statut du composant Obsolète	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 200 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 78,5 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-220AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-220-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 15,3mohms à 20A, 10V	Numéro de produit de base SQP90142
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 250µA

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Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IXFP90N20X3	IXYS	0	IXFP90N20X3-ND	15,96000 $	Similaire

Obsolète

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SQP90142E_GE3