Name: SQM35N30-97_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM35N30-97_GE3TR-ND
Price: 7.89 CAD
Availability: InStock

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SQM35N30-97_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQM35N30-97_GE3TR-ND - Bande et bobine SQM35N30-97_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQM35N30-97_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQM35N30-97_GE3
Description	MOSFET N-CH 300V 35A TO263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 300 V 35 A (Tc) 375W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 130 nC @ 10 V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs (max.) ±20V
Série TrenchFET®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5650 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 375W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 300 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 35 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 97mohms à 10A, 10V	Numéro de produit de base SQM35
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 250µA