Name: SQM110P06-8M9L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM110P06-8M9L_GE3TR-ND
Price: 6.95 CAD
Availability: OutOfStock

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SQM110P06-8M9L_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQM110P06-8M9L_GE3TR-ND - Bande et bobine SQM110P06-8M9L_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQM110P06-8M9L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQM110P06-8M9L_GE3
Description	MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 110 A (Tc) 230W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SQM110P06-8M9L_GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 200 nC @ 10 V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs (max.) ±20V
Série TrenchFET®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7450 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 230W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal P	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 110 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 8,9mohms à 30A, 10V	Numéro de produit de base SQM110
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA