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SQJ479EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SQJ479EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJ479EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQJ479EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQJ479EP-T1_GE3 |
Description | MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 23 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 80 V 32 A (Tc) 68W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQJ479EP-T1_GE3 Modèles |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 150 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4500 pF @ 25 V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Dissipation de puissance (max.) 68W (Tc) |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 80 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 33mohms à 10A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SQJ479EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix | 2 140 | 742-SQJ479EP-T1_BE3CT-ND | 2,91000 $ | Direct |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,91000 $ | 2,91 $ |
| 10 | 1,85400 $ | 18,54 $ |
| 100 | 1,24410 $ | 124,41 $ |
| 500 | 0,98272 $ | 491,36 $ |
| 1 000 | 0,89862 $ | 898,62 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,79184 $ | 2 375,52 $ |
| 6 000 | 0,73811 $ | 4 428,66 $ |
| 9 000 | 0,71074 $ | 6 396,66 $ |
| 15 000 | 0,68360 $ | 10 254,00 $ |












